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[期刊论文] 作者：廖仕坤,
来源：昆明理工大学学报(理工版) 年份：2002
论述了为大批量检测半导体晶片的霍尔系数、电阻率、载流子浓度和迁移率等电学参数而组建的由三台Ｋｅｉｔｈｌｅｙ公司的带ＧＰＩＢ接口仪器和一套Ｏｘｆｏｒｄ公司的带ＲＳ－２３２接口仪器组成的霍尔自动测试系统；使用Ｂｏｒｌａｎｄ公司的可视化快速应用程序开发工具Ｃ＋＋Ｂｕｉｌｄｅｒ开发了霍尔自动测试软件，该软件具有典型Ｗｉｎｄｏｗｓ程序那样的全中文图......
[会议论文] 作者：廖仕坤,
来源：第八届全国红外技术交流会 年份：1988
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[期刊论文] 作者：杨彦,廖仕坤,
来源：红外技术 年份：1994
采用红外透射法测ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片的组分ｘ．范德堡法测晶片的载流子浓度ｎ０。用实测值ｘ和ｎ０计算出在相同低温热处理条件下不同组分（０．１９０＜ｘ＜０．２３０）的ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片７７Ｋ时本征浓度ｎｉ和杂质浓度ｎｄ．得到比值ｎｄ／ｎｉ与组分ｘ的关系曲线。对此......
[会议论文] 作者：廖仕坤,杨彦,
来源：第十二届全国红外科学技术交流会 年份：1996
该文报道了碲镉汞的反常高电子迁移率。变磁霍尔测量和小光点扫描红外透射测量结果表明，反常高电子迁移率碲镉汞样品中存在导电非均匀性，这种导电非均匀性是横向组分严重偏析形......
[期刊论文] 作者：廖仕坤,杨彦,刘新进,
来源：红外与激光工程 年份：1997
文中报道了碲镉汞的反常高电子迁移率。变磁霍尔测量和小光点扫描红外透射测量结果表明，反常高电子迁移率碲镉汞样品中存在导电非均匀性，这种导电非均匀性是横向组分严重偏析形......
[会议论文] 作者：杨彦;廖仕坤;刘新进;李玉德;,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
该文选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。取透射比为5℅对应的...
[会议论文] 作者：杨彦;廖仕坤;刘新进;李玉德;,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
该文选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。取透射比为5℅对应的...
[会议论文] 作者：李玉德,刘新进,廖仕坤,杨彦,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
该文选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。取透射比为5％对应的波...
[期刊论文] 作者：杨彦,廖仕坤,宋炳文,刘新进,
来源：红外技术 年份：1994
采用红外透射法测ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片的组分ｘ．范德堡法测晶片的载流子浓度ｎ０。用实测值ｘ和ｎ０计算出在相同低温热处理条件下不同组分（０．１９０＜ｘ＜０．２３０）的ｎ型ＨｇＣｄＴｅ晶片７７Ｋ时本征浓度ｎｉ和杂质浓度ｎｄ．得到比值ｎｄ／ｎｉ与组分ｘ的关系曲线。对此......
[期刊论文] 作者：刘翔,吴长树,张鹏翔,赵德锐,陈庭金,廖仕坤,杨家明,
来源：半导体光电 年份：2002
极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长,普遍选用(100)面Si材料作衬底,外延时由于Ga,As原子占据不合适的晶格位置,通常导致结构缺陷--反相畴产生,而选用(100)面偏向[01...
[期刊论文] 作者：刘翔,吴长树,张鹏翔,角忠华,赵德锐,陈庭金,廖仕坤,杨家明,
来源：半导体光电 年份：2002
报道了采用热壁外延(HWE)技术,在(100),(111)和(211)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较,得出结论:(1)相同...
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