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[期刊论文] 作者：应磊莹,李克诚,,
来源：半导体情报 年份：1986
利用散射损耗理论,分析了长波长激光器特强波导结构的模式行为,制作了波长为1.3μm的特强BH波导结构激光器,室温(20℃)CW阈值电流为41mA,得到了稳定的单基横模(至2.9Ith)和单...
[期刊论文] 作者：应磊莹,梅洋,张保平,
来源：厦门大学学报:自然科学版 年份：2021
GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种具有垂直出光结构的新型半导体激光器,其发光波长可覆盖整个可见光波段.与边发射激光器相比,VCSEL具有单纵模工作、低阈值电流、圆形对...
[会议论文] 作者：张江勇;应磊莹;张保平;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
GaN材料作为第三代宽禁带半导体材料近年来发展迅速,以GaN基LED为代表的氮化物光电子器件也得到了广泛的应用.然而,随着器件功率的不断提升,GaN基光电子器件的散热问题日渐突...
[期刊论文] 作者：曾勇平,张保平,应磊莹,,
来源：山东工业技术 年份：2015
本文主要介绍一种新型的改善GaN材料p型欧姆接触特性的方法，即采用电子束蒸发技术在InGaN层上沉积一层ITO薄膜，然后通过感应耦合等离子体技术（ICP）对ITO进行轰击。通过XPS测试分...
[会议论文] 作者：方瑞禹,应磊莹,黄以明,
来源：第五届全国光纤通信学术会议 年份：1991
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[期刊论文] 作者：龙浩,杨文,应磊莹,张保平,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Silica whispering gallery mode(WGM) microcavities were fabricated by the buffered oxide etcher and potassium hydroxide wet etching technique without any subsequ...
[会议论文] 作者：陈明,应磊莹,张江勇,张保平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
运用键合技术及激光剥离技术,我们可以去除导电导热性差的蓝宝石并将GaN薄膜转移到Ni,Si,Cu等导电导热性好的衬底上并制作出GaN基垂直结构LED.然而,传统GaN基垂直结构LED的制作过程比较繁琐,等离子体电感耦合(ICP)通常需要用到两次(刻蚀u-GaN,分离器件并确定芯......
[会议论文] 作者：刘文杰,应磊莹,张江勇,张保平,
来源：第十七届全国凝聚态光学性质会议 年份：2014
GaN谐振腔可用于制作新型可见光发光器件,特别是平板谐振腔是制作谐振腔发光二极管(RCLED),垂直腔面发射激光器(VCSEL)等光电子器件的基础[1,2].制作低损耗谐振腔、掌握其光...
[会议论文] 作者：刘文杰,应磊莹,张江勇,张保平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
与传统的GaN基边发射激光器相比,GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)拥有许多优越的性能,不仅可以实现高密度二维集成和更高功率输出,而且还具有低阈值、动态单模工作、圆形对称光斑、与光纤高效耦合、制作成本低等优点.制作低损耗高Q值的谐振腔是实现室温VCSEL激......
[会议论文] 作者：张江勇,应磊莹,陈明,刘文杰,张保平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
作为环保节能的新一代绿色光源和照明技术,大功率LED近年来得到快速发展,但仍然存在散热不畅的瓶颈.由于缺乏同质衬底,GaN材料的生长主要采用异质外延的方法,通常选用蓝宝石作为异质外延的基底.但蓝宝石基底导热性差,使器件在工作时产生的热量不能够有效地传递......
[期刊论文] 作者：王宇,张江勇,余健,应磊莹,张保平,
来源：半导体光电 年份：2014
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱外延结构, 高分辨率X射线衍射测量结果显示, 量子阱结构界面清晰, 周期重复性很好, InGaN阱层的In组分约为 0.2。利用该外延结构制备的InGaN/GaN多量子阱太阳电池的开路电压为2.16V, 转换......
[期刊论文] 作者：应磊莹,刘文杰,张江勇,胡晓龙,张保平,,
来源：半导体技术 年份：2014
激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要...
[期刊论文] 作者：陈少伟,吕雪芹,张江勇,应磊莹,张保平,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2013
利用闪耀光栅作为外腔光反馈元件,研究Littrow结构的蓝紫光外腔半导体激光器。通过引入闪耀光栅,在光栅面和半导体激光器后端面之间构成耦合外腔,改善了中心波长位于405.5nm...
[期刊论文] 作者：蔡晓梅,张江勇,吕雪芹,应磊莹,张保平,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：2015
制备了3种低In组分（即原子分数）的InGaN p-i-n同质结太阳能电池,均显示良好的光伏响应特性,并对电池开路电压随In组分增大而急剧下降的内在机理作了深入分析.而后,改进外延结构...
[会议论文] 作者：吕雪芹,陈少伟,张江勇,应磊莹,张保平,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：蔡晓梅,张江勇,应磊莹,吕雪芹,张保平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
近年来,氮化物半导体InGaN材料以其优越的光伏特性,吸引人们探索其在太阳能电池方面的应用.InN带隙的重新修正,意味着InGaN材料的带隙随In组分的变化可以在3.4eV (GaN)到0.65eV(INN)之间连续可调,其对应的吸收光谱从紫外(365nm)一直延伸到近红外(1900nm),几乎覆......
[会议论文] 作者：郑志威;赖萌华;余健;张江勇;应磊莹;张保平;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
随着当前环境问题的日益加剧,太阳能作为一种绿色能源受到人们的广泛关注.长期以来,人们一直在寻求高转换效率的材料.与传统Si、GaAs基太阳能电池相比,InGaN太阳能电池因其带...
[期刊论文] 作者：卜庆典,周伦茂,龙浩,应磊莹,郑志威,张保平,,
来源：半导体技术 年份：2017
Ni/Ag/Ti/Au金属系反射镜电极广泛用于GaN基垂直结构发光二极管(LED)的传统制造工艺。这种电极需要进行高温长时间整体退火才能获得高质量的欧姆接触,但对电极的反射率和器件...
[期刊论文] 作者：杨文,龙浩,郭长磊,江水森,张保平,蔡志平,应磊莹,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2017
SiO2回音壁模式（whispering gallery mode，WGM）的光学谐振腔具有品质因子Q值高、模式体积小、制作简单等优点，在腔量子电动力学、生物传感器、滤波器、非线性光学等领域具有非常...
[期刊论文] 作者：陈澜, 吴瑾照, 龙浩, 史晓玲, 应磊莹, 郑志威, 丘志,
来源：发光学报 年份：2020
围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN...
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