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[会议论文] 作者：赵清旭,庄燮彬,徐立生,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理分会第六届学术年会 年份：1992
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[期刊论文] 作者：周春林,庄燮彬,王连忠,,
来源：半导体情报 年份：1987
本文从器件、电路、筛选等角度研究了GaAs FET低噪声放大器耐RF输入功率问题;给出了有关实验数据;分析了场放的烧毁机理。实验结果表明,采用CX502型GaAs FET器件组装的场放。...
[期刊论文] 作者：邓先灿,庄燮彬,宋马成,,
来源：半导体情报 年份：1981
本文简单地介绍了在国内我们最早开展的 GaAs 中 S~+、O~+、Si~+等离子注入的研究及其在研制 GaAsMES FET 系列中的应用情况。着重分析了自1979年以来我们在半绝缘 GaAs 衬底...
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