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[期刊论文] 作者：庄婉如,
来源：高电压技术 年份：1989
膨润土长效防腐降阻剂自1981年研究成功以来曾有三次改进。最近提供的金陵Ⅲ号在抗干旱和耐冲击电流的性能方面有了明显改进,从而进一步保证了降阻剂的长效性与可用性。本文...
[期刊论文] 作者：庄婉如,,
来源：激光与红外 年份：1985
自60年代以来,在Ⅲ-Ⅴ族化合物衬底上利用液相外延(LPE)生长工艺已经研制和生产了许多半导体光电器件。采用异质结的器件在其中占有极其重要的作用。这些器件包括发光管、激...
[期刊论文] 作者：庄婉如,,
来源：中国激光 年份：1994
评述半导体激光器的发展动态,包括应变量子阱激光器、垂直腔面发射激光器、可见光激光器、增益耦合型分布反馈激光器及高功率激光器列阵等。Review the development of sem...
[期刊论文] 作者：庄婉如,张国伟,
来源：激光与红外 年份：1993
光波导开关是光网络的基础器件。半导体中的电光效应、能带填充效应、多量子阱的量子限制Stark效应以及等离子体色散效应等都可分别被利用来制作成光波导开关。本文综合介绍...
[期刊论文] 作者：王德煌,庄婉如,
来源：北京大学学报：自然科学版 年份：1994
报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。...
[期刊论文] 作者：庄婉如,杨培生,
来源：半导体学报 年份：1991
采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低14％左右....
[期刊论文] 作者：庄婉如,朱顺明,
来源：高技术通讯 年份：2000
首次报导了光电导型混晶Ｓｉ－ｘＧｅｘ波导探测器。混晶Ｓｉ１－ｘＧｅｘ是在硅基ＳｉＯＮ／ＳｉＯ２／Ｓｉ上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经６５０℃退火３０ｍｉｎ得到的。探测器宽１０μｍ，长２ｍｍ。探测器加２０Ｖ偏置电压是，探测灵敏在０．０２２－０．０１０Ａ／Ｗ之间。混晶Ｓｉ１－ｘＧｅｘ造成探测器......
[期刊论文] 作者：林雯华,庄婉如,
来源：激光与红外 年份：1990
本文探讨了四种类型的单片集成接收讥的结构、性能,生产工艺的发展状况,以及存在的问题和未来的发展趋势。更多还原...
[期刊论文] 作者：康寿万,庄婉如,
来源：通信学报 年份：1996
本文讨论了在４×４网结型完全无阻塞光开关阵中，构成４×４重排无隆塞光形状阵的组合数。由分析计算可得到４８种组合。文中把这些组合一一例出。结果表明，当一个４×４网结型开关......
[会议论文] 作者：石志文,庄婉如,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：石志文,庄婉如,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：李群柱,张石桥,庄婉如,
来源：光电子·激光 年份：1994
本文将激光射器与调制器的直接耦合和耦合槽的影响综合考虑，用散射矩阵法及两步等效反射率法，对沟槽耦合腔激光器的波长调谐和频率调制特性进行了分析，数学处理简单，物理图象清晰......
[期刊论文] 作者：庄婉如,林雯华,等,
来源：半导体学报 年份：1993
研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型（CI－TIR）GaAs/GaAIAs光波导开关。开关工作波长为0．87μm，工作电流70mA，消光比14dB，串话－13dB，该开关具有尺寸小，与偏振无关，无阻塞，易......
[期刊论文] 作者：高伟,庄婉如,谭叔明,,
来源：半导体光电 年份：1989
本文在总结实验的基础上,给出了化学腐蚀的选择原则。并针对化学腐蚀中较重要的晶向择优和异质择优腐蚀,借助大量的曲线和照片,就 GaAs、GaAlAs材料做了讨论。最后,简单介绍...
[期刊论文] 作者：张石桥,庄婉如,谭叔明,,
来源：半导体光电 年份：1990
本文介绍 OEIC 器件,侧重于基于 GaAs 和 InP 材料的、应用于光纤通信的 OEIC 发射器、接收器和中继器的发展现状、器件性能和各种关键新工艺,并探讨了其发展动向。...
[期刊论文] 作者：高伟,谭叔明,庄婉如,
来源：半导体光电 年份：1989
本文利用单 FP(Fabry—Perot)腔激光器的理论,并用有效反射率方法,通过计算机数值计算和作图,简单、清晰、明了地解决了集成外腔结构的 GaAs/GaAlAs激光器的模式谱问题,并给...
[期刊论文] 作者：张石桥,庄婉如,谭叔明,
来源：半导体光电 年份：1989
本文简单讨论各种单纵模半导体激光器的优缺点,扼要分析耦合腔激光器单纵模工作机理和条件,并介绍实现两段激光器的关键工艺。更多还原...
[期刊论文] 作者：高伟,庄婉如,谭叔明,
来源：中国激光 年份：1992
本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。......
[期刊论文] 作者：庄婉如,马英棣,胡一贯,
来源：中国激光 年份：1984
在室温至600℃退火D2 轰击过的GaAs单晶片,只要退火温度低于200℃,得到的电阻率可达(1～2)×108欧姆.厘米。用D2 轰击(GaAl)As/GaAs双异质结构片,制成的隔离条形激光器,近场、光谱、频率响应及退火等特性都与H 轰击激光器差不多。......
[期刊论文] 作者：张石桥,庄婉如,谭叔明,
来源：中国激光 年份：1990
本文利用散射矩阵法和两步等效反射率法,分别就强耦合和弱耦合情况分析了耦合腔激光器的单模工作机理,并给出数值计算结果。...
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