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[学位论文] 作者：崔朝探,
来源： 年份：2014
航天机构工作在温差大、高真空和高辐射的空间环境中，其运行状态和受力情况都会受到影响。本文以空间站大型机械臂的输出关节为研究对象，突破了以往在单一条件下的分析。重点研究交变温度、转动速度、载荷大小三个因素耦合作用下，关节处轴承的间隙演化规律，防止间隙......
[期刊论文] 作者：崔朝探, 刘林杰, 李玮,,
来源：半导体技术 年份：2004
随着半导体封装器件的不断发展,工作电流不断增加,对陶瓷封装的电性能提出了更高要求,而导通电阻是衡量其电性能最重要的参数之一,会影响电路的稳定性和功耗波动。提出了一种...
[期刊论文] 作者：刘林杰,崔朝探,高岭,,
来源：半导体技术 年份：2016
随着器件功率密度的不断提升,散热问题已成为微电子器件封装失效的主要原因之一。金刚石/铜(CuC)复合材料具有较高的热导率,可作为新一代散热材料应用于高功率密度器件的封装...
[会议论文] 作者：杜鹏搏, 崔朝探, 王瑜, 焦雪龙,
来源：2022年全国微波毫米波会议论文集（上册） 年份：2020
设计了一种由驱动级功率放大器（PA）单片微波集成电路（MMIC）芯片和末级PA MMIC芯片组成的功率放大器芯片套片。驱动级PA采用Ga As工艺,在24～31GHz的频率范围内,小信号增益大于24dB,输入、输出反射系数均＜-10dB;末级PA采用Ga N工艺,在24-28GHz的频率范围内,功率增益大于......
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,王瑜,焦雪龙,刘学利,崔朝探,任志鹏,曲韩宾,
来源：半导体技术 年份：2022
研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC).MMIC采用三级级联放大结构,在末级采用簇丛型合成网络实现8胞功率合成,电路输入端和级间采用低通电抗式匹配网络,输出端采用带通电抗式匹配网络,并结合稳定......
[期刊论文] 作者：崔朝探,陈政,郭建超,赵晓雨,何泽召,杜鹏搏,冯志红,
来源：半导体技术 年份：2022
随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W/（m·K）,是一种极具竞争力的新型散热材料，可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为53 W的GaN功率放大器进行封装......
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