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[会议论文] 作者：崔德升,曾庆城,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[会议论文] 作者：崔德升,王水凤,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ＰＳ），测量了ＰＳ在近红外光（８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ具有良好的上转换荧光特性，而且硅片初始电阻率越低，发光强度越大。......
[期刊论文] 作者：崔德升,刘彩池,
来源：河北工业大学学报 年份：1997
采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ＰＳ），测量了ＰＳ在近红外光（８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期了内峰值强度有明显的增强......
[会议论文] 作者：任丙彦,李伟,崔德升,
来源：中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1990
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[期刊论文] 作者：任丙彦,崔德升,刘安平,,
来源：河北工学院学报 年份：1988
用低温Hall、深能级瞬态谱仪和红外吸收谱仪研究了大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中的深能级电子陷阱和浅施主能级。对这些深浅能级的形成和退火行为进行了研究。发现由于大剂量中...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,任丙彦,崔德升,
来源：半导体技术 年份：1987
研究了大直径(φ50～75mm)低阻(5～15Ω·cm)NTDSi单晶的退火行为,讨论了大剂量中子辐照(～10~(18)n/cm~2)硅退火中“中照施主”形成与消失的条件,提出了合理的退火工艺.The anne...
[期刊论文] 作者：崔德升,刘彩池,任丙彦,张颖怀,
来源：河北工业大学学报 年份：1997
采用电化学腐蚀法制备多孔硅（PS），测量了防在近红外光（800nm）激发下的光致发光（PL）谱和光致发光激发（PLE）谱，结果表明PS具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期限内峰值......
[期刊论文] 作者：任丙彦,刘彩池,张颖怀,崔德升,王水凤,曾庆城,
来源：光学学报 年份：1999
采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了多孔硅在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性,并随着存放时间的延长,在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强,被认为与空间量子......
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