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[学位论文] 作者：崔强生,,
来源：西安电子科技大学 年份：2014
以InAs/AlSb HEMT器件为代表的锑基化合物半导体器件因其超高速、低功耗、低噪声的特点，有望成为继InP基半导体器件之后的新一代高速半导体器件，在高速、低功耗等应用领域将占...
[会议论文] 作者：罗杏,吕红亮,张玉明,张义门,崔强生,武利翻,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
文中研究了用柠檬酸:H2O2以1:1的体积比作为InAs/AlSb HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较好的表面平整度的时间.分别对光刻后的图形进行5s,10s,30s,40s,50s,60s,7...
[会议论文] 作者：Xubin Ning,宁旭斌,Hongliang Lv,吕红亮,Yuming Zhang,张玉明,Yimen Zhang,张义门,Qiangsheng Cui,崔强生,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电子气的影响。在对InAs/AlSb材料的能带结构分析研究的基础上,可以通过在InAs沟道上下两层的......
[会议论文] 作者：XubinNing[1]宁旭斌[2]HongliangLv[1]吕红亮[2]YumingZhang[1]张玉明[2]YimenZhang[1]张义门[2]QiangshengCui[1]崔强生[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电...
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