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[会议论文] 作者：屠妹英,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文运用硅单晶间隙氧含量减少法,测定硅中氧沉积特性.通过A、B两种热处理工艺,找出氧含量对沉淀形成的影响及碳的作用,并探讨热处理过程氧沉积特性曲线形成的"陡峭"现象及其机理.......
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