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[学位论文] 作者:吕尊仁, 来源:中国科学院大学 年份:2017
面对信息量的不断攀升,人们对光纤通信的带宽给予了更高的期望。半导体量子点激光器由于三维量子限制效应,展现出了低阈值电流、高调制速率、高温度稳定性及低线宽增益因子等优......
[期刊论文] 作者:吕尊仁, 吕国辉,, 来源:实验技术与管理 年份:2011
针对传统的强度型光纤位移传感器安装复杂、漂移大等问题,采用光纤光栅新型位移传感器,设计并实现了一种波长编码、自校准和不受光强影响的新型光纤光栅位移传感实验装置。该...
[会议论文] 作者:吕尊仁,张中恺,杨涛, 来源:第十二届全国分子束外延学术会议 年份:2017
[会议论文] 作者:张中恺,吕尊仁,许锋,杨晓光,杨涛, 来源:第十二届全国分子束外延学术会议 年份:2017
[期刊论文] 作者:齐晓岩,吕尊仁,杨叶,韩建,刘书钢, 来源:实验科学与技术 年份:2014
表面等离子体共振(surface plasmon resonance,SPR)是一种物理光学现象,由入射光波和金属导体表面的自由电子相互作用而产生。基于SPR原理的传感技术在光学、化学、生物、医疗...
[会议论文] 作者:许锋,杨晓光,季海铭,罗帅,吕尊仁,杨涛, 来源:中国物理学会2015年秋季会议 年份:2015
  中间能带太阳能电池以其63.2%的高理论效率1得到广泛关注.周期性的量子点结构可在材料的导带和价带之间引入一个中间能带,大大拓宽了太阳能电池对太阳光谱的吸收.然而,之前......
[期刊论文] 作者:张中恺,吕尊仁,杨晓光,柴宏宇,孟磊,杨涛, 来源:ChineseOpticsLetters 年份:2020
We report 25 Gb/s high-speed directly modulated ground-state operation of 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot (QD) lasers grown by molecular beam epitaxy. The active region of the lasers consists of eight layers of p-doped InAs QDs with high unif......
[期刊论文] 作者:吕尊仁,季海铭,杨晓光,罗帅,高凤,许锋,杨涛,, 来源:Chinese Physics Letters 年份:2016
Large-signal modulation capability,as an important performance indicator,is directly related to the high-speed optical communication technology involved.We expe...
[会议论文] 作者:高凤,许锋,吕尊仁,杨涛,罗帅,季海铭,肖德航, 来源:中国物理学会2015年秋季会议 年份:2015
  半导体量子点激光器由于具有阈值电流密度低、温度稳定性好和调制速度高等特点,非常有望成为下一代光通讯网络所需的关键光源。尽管最新报道的基态激射量子点激光器的直...
[会议论文] 作者:吕尊仁,季海铭,罗帅,高凤,许锋,肖德航,杨涛, 来源:中国物理学会2015年秋季会议 年份:2015
半导体量子点激光器由于具有阈值电流密度低、温度稳定性好和调制速度高等特点,非常有望成为下一代光通讯网络所需的关键光源。尽管最新报道的基态激射量子点激光器的直接调制速率已经高达25 Gb/s,但是这一速率与理论计算的最高值仍然存在很大的差距。与基态激......
[期刊论文] 作者:吕尊仁,张中恺,王虹,丁芸芸,杨晓光,孟磊,柴宏宇,杨涛, 来源:中国激光 年份:2020
由于半导体量子点具有很强的三维量子限制效应,量子点(QD)激光器展现出低阈值电流、高调制速率、高温度稳定、低线宽增强因子和高抗反射等优异性能,有望在未来高速光通信及高速光互连等领域有重要的应用。同时,量子点结构具有对位错不敏感的特性,使得量子点激光......
[会议论文] 作者:杨冠卿,徐波,梁平,吕尊仁,胡颖,于天,刘峰奇,杨涛,陈涌海,王占国, 来源:第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份:2017
近年来通过制备硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器以实现高性能硅基光源的研究备受人们关注.在Si衬底上外延生长Ⅲ-Ⅴ族激光器材料的方法易于实现Ⅲ-Ⅴ族材料与Si衬底的大面积集成,因而成为一条很有希望的技术途径.本工作在生长了Ge缓冲层的Si(001)衬底上外延生长GaAs缓......
[会议论文] 作者:吕尊仁,王占国,徐波,刘峰奇,杨冠卿,于天,梁平,杨涛,胡颖,陈涌海,夏金松, 来源:第十二届全国分子束外延学术会议 年份:2017
[会议论文] 作者:杨冠卿,徐波,梁平,夏金松,胡颖,吕尊仁,于天,刘峰奇,杨涛,陈涌海,王占国, 来源:第十二届全国分子束外延学术会议 年份:2017
硅基光电集成是解决硅芯片上互连速度瓶颈,延续摩尔定律的可选方案之一,但是由于硅、锗都是间接带隙半导体,高效硅基光源的获取成为一个技术难点.Ⅲ-Ⅴ族半导体大多是直接带隙材料,具有优良的发光特性,因而Ⅲ-Ⅴ族与Si的光电集成成为人们关注的热点.在Si上直接......
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