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[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：中国制造业信息化 年份：2006
集成电路装备集成了基础理论，基础材料、器件物理、计算机、自动控制、光学、化学、真空技术、精密机械、装备制造、统计分析、计量学、环境超洁净控制科技领域的最新成就，是基......
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：集成电路应用 年份：2018
在第五届中国半导体设备市场年会上,国家科技重大专项(02)专家组组长叶甜春先生指出,十九大的召开标志着我们迎来了新时代,将开展新的征程。未来30年是信息化时代,中国要发展...
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：中国集成电路 年份：2006
一、前言 集成电路（IC）装备业已成为高技术装备产业的典型代表。中罔正在成为世界IC制造业的重要区域，同时也将成为IC装备商争胜的焦点。相对于IC制造业，我同的IC装备制造业无论......
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：科技导报 年份：2019
中国集成电路技术和产业经过了最新一轮十年的攻关,已经形成了较为系统的布局。分析了国内外集成电路制造技术和产业发展趋势以及中国集成电路制造技术研发布局,概述了22~14...
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：高科技与产业化 年份：2016
近几年,随着全球信息化迅速从数字化向智能化迈进,智能制造、智慧城市、智能汽车、智慧健康等物联网应用领域陕速发展,其相关的传感器技术重新唤起了社会各界的巨大热情...
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：物联网技术 年份：2012
在第三届物联网博览会上,中国科学院微电子研究所所长,中国物联网研究发展中心叶甜春主任做了《中国物联网产业链发展与建设》的讲演。他指出:物联网产业发展预期的爆炸式增长还未到来,但随着资源的集聚,新业务和新市场正在生成,机遇正在到来 ;商业模式创新、市......
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：集成电路应用 年份：2017
得芯片者得天下,完全正确。因为对于人类发展的每一个时代,它都有一些基础产品是最重要的,这些产品对于人类生产力水平的提高具有不可或缺的作用。农业时代最重要的是铁,...
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：集成电路应用 年份：2016
2008年以来,在国家设立的01专项、02专项等政策的推动下,中国集成电路产业在诸多方面已经取得很大发展。中国科学院微电子研究所叶甜春所长总结了中国集成电路产业在六个方面...
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：集成电路应用 年份：2016
摩尔定律的发展方式在变,我们原有传统的尺寸缩小的方式开始遇到一些障碍,技术进步的初始投入在大幅度提高。全球集成电路产业发展的驱动方式可能就要变了,未来要变得更复杂...
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：集成电路应用 年份：2017
中国科学院微电子所所长叶甜春在亦庄举行的2017北京微电子国际研讨会暨中国新能源汽车电子高峰论坛上发表了主旨演讲。报告共分三部分，首先讲述中国IC产业发展引起关注，然后论......
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：集成电路应用 年份：2014
“国家产业投资基金”的设立是本次发布实施的《国家集成电路产业发展推进纲要》的亮点之一。它是对国家此前发布的一系列有关集成电路产业扶持政策的重要补充与完善。集成电...
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：中国公共安全 年份：2013
从物联网整个发展来看,2013年可能没有往年热闹。实际上这个产业一年一年都有变化发生,但并不是每一个变化都会带来深远影响。物联网产业发展状况回顾从国家政策来讲,对物联...
[期刊论文] 作者：叶甜春,,
来源：中国制造业信息化 年份：2009
在建国60周年和改革开放30年周年这两个历史性的纪念年度来临之即,国家重大科技专项暨大规模集成电路制造装备及成套工艺进入了全面实施的第一个年At the 60th anniversary...
[会议论文] 作者：叶甜春,
来源：第四届中国国际集成电路产业展览暨研讨会 年份：2006
集成电路装备业已成为高技术装备产业的典型代表.中国正在成为世界集成电路制造业的重要区域,同时也将成为集成电路装备商争胜的焦点.相对于集成电路制造业,我国的集成电路制...
[期刊论文] 作者：封松林,叶甜春,,
来源：中国科学院院刊 年份：2010
回顾了物联网/传感网研究工作和概念的演进与变化,指出物联网/传感网即是带有传感/识别器的信息网络系统,用以实现智能感知和管理,同时论述了物联网的战略需求和作用、需解决...
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：半导体技术 年份：1998
分别从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面择１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术进行了对比分析，介绍了目前它们的一些进展情况，并对它们的应用前景进行了简要分析。......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：科技导报 年份：1999
为了跟踪世界先进同步辐射装置的研究水平，继北京第一代同步辐射装置和合肥第二代同步辐射装置相继建成后，我国决定建造储存环运行能量为３５ＧｅＶ的上海第三代同步辐射装置（ＳＳＲＦ）。作为我国......
[期刊论文] 作者：叶甜春,张绵,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
对同步辐射Ｘ射线光刻及在ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件制作中的应用进行了研究，并制作出栅长０．１５μｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ晶体管。研究结果表明，Ｘ射线光刻在肃离图形册结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：微电子技术 年份：1999
目前看来，193nm光学光刻很有希望应用到0．13μm集成电路工业生产中去。本文从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机等方面对193nm光学光刻技术进行了分析，并介绍了它目前的一些......
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,
来源：半导体情报 年份：2001
半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小,极端远紫外光刻是5种下一代光刻技术候选者之一,它的目标是瞄准70纳米及70纳米以下的特征尺寸光刻.本文从极端远紫外...
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