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[学位论文] 作者：占玙娟,,
来源：湖南大学 年份：2010
氮化铝陶瓷具有热导率高、电阻率高、击穿场强大、低介电系数、热膨胀系数与Si和氧化铝陶瓷等常用半导体材料匹配这些特性,是理想的电子封装材料,但AlN陶瓷表面金属化的质量...
[期刊论文] 作者：占玙娟,周灵平,朱家俊,李德意,彭坤,,
来源：中国有色金属学报 年份：2011
采用电子束蒸发技术在AlN衬底上蒸镀Ti/Ni双层金属化薄膜,通过SEM、EDS和AES等方法分析抛光AlN表面状态及与金属化薄膜间的相互作用。结果表明:离子束清洗可去除AlN衬底表面...
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