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[期刊论文] 作者：卜琼琼,,
来源：科技视界 年份：2015
单晶硅的性质对所含杂质与缺陷十分敏感。于是,为了在硅上获得适合于实际应用的光发射,人们对Si材料的改性主要采取引入与控制杂质和缺陷的方法,期望获得有效的发光中心,近年...
[期刊论文] 作者：卜琼琼,,
来源：时代教育 年份：2015
“校企合作、工学结合”是高等职业院校发展的必要形式之一,但在实施的过程中也出现了多种问题。笔者就校中厂企业某一工序分析存在的问题,与培养目标相结合,探讨人才培养模...
[学位论文] 作者：卜琼琼,
来源：云南大学 年份：2012
半导体硅材料是电子技术乃至信息技术领域最为重要的基础材料之一。然而，硅是间接带隙材料，其辐射复合的发光效率较低，不宜制造高效率发光器件。在Si基发光材料上实现光-电集成......
[期刊论文] 作者：卜琼琼,
来源：现代职业教育 年份：2022
“三全育人”综合改革为高职院校落实“立德树人”根本任务提供了有效的实践路径。在校企双主体育人模式下构建“三全育人”思想政治工作大格局，对实现职业技能和职业精神培养高度融合、建设技能型社会具有十分重要的意义。由于利益目标不同、管理理念落后等问题......
[期刊论文] 作者：卜琼琼,王茺,靳映霞,陆顺其,杨宇,,
来源：红外技术 年份：2012
运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响。理论计算表明,缺陷使体Si材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生...
[期刊论文] 作者：陆顺其,王茺,靳映霞,卜琼琼,杨宇,
来源：人工晶体学报 年份：2012
应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si（100）-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投...
[期刊论文] 作者：陆顺其,王茺,靳映霞,卜琼琼,杨宇,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影...
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