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[期刊论文] 作者：陈红富,王奕锦,俞彦伟,陈志鹏,何嘉诚,高子建,罗曼,余晨辉,
来源：南通大学学报(自然科学版 年份：2022
作为第三代宽禁带半导体材料的碳化硅（SiC）具有高临界电场、高热导率等特性，以此材料制作成的PIN功率二极管器件可以满足高速轨道交通、航空航天等领域的高压、高温、抗辐射等要求。目前传统的4H-SiC PIN雪崩二极管容易受到电场集边效应的影响，从而导致器件的提前击......
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