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[学位论文] 作者:何泽召,, 来源:河北工业大学 年份:2016
2004年,曼彻斯特大学的Geim教授和Novoselov博士等人第一次成功的从石墨中获得了单层石墨烯,在物理界产生了巨大的轰动并引发了石墨烯探索研究的热潮。随着研究的深入,人们发...
[学位论文] 作者:何泽召, 来源:河北工业大学 年份:2012
  宽禁带半导体材料金刚石以其高击穿场强,高载流子迁移率,高饱和漂移速度,最高的热导率,以及抗辐射能力强、化学稳定等特性,成为近年来国内外研究的热点,被认为是继GaN之...
[会议论文] 作者:冯志红,蔚翠,何泽召,李佳,刘庆彬, 来源:2015中国国际石墨烯创新大会 年份:2015
  由于石墨烯材料优越的电学特性,在高速高频电子领域已经显露出极大的潜能.准自由态外延石墨烯因其良好的晶体质量、高的载流子迁移率和无需转移等特点,是未来高频器件应用......
[会议论文] 作者:王晶晶,张雄文,冯志红,蔡树军,何泽召, 来源:第十三届全国固体薄膜学术会议 年份:2012
  采用直流电弧喷射法在钼衬底上生长厚度为500 m的自支撑多晶金刚石膜,通过X射线衍射仪和拉曼测试系统对其晶体质量进行表征.拉曼光谱表明该金刚石无杂相,除去1332cm-1处出...
[会议论文] 作者:王晶晶,何泽召,张雄文,冯志红,蔡树军, 来源:第十三届全国固体薄膜学术会议 年份:2012
采用直流电弧喷射法在钼衬底上生长厚度为500 m的自支撑多晶金刚石膜,通过X射线衍射仪和拉曼测试系统对其晶体质量进行表征.拉曼光谱表明该金刚石无杂相,除去1332cm-1处出现十分明锐的金刚石特征峰外,不存在任何非金刚石峰.X射线衍射的结果表明,金刚石自支撑膜具有......
[会议论文] 作者:李佳,蔚翠,刘庆彬,何泽召,卢伟立,冯志红, 来源:2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份:2013
[期刊论文] 作者:刘庆彬, 蔚翠, 何泽召, 王晶晶, 周闯杰, 郭建超, 冯, 来源:化工学报 年份:2017
利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si3N...
[期刊论文] 作者:刘庆彬,蔚翠,何泽召,王晶晶,李佳,芦伟立,冯志红,, 来源:物理化学学报 年份:2016
化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长...
[期刊论文] 作者:刘庆彬,蔚翠,何泽召,王晶晶,李佳,芦伟立,冯志红,, 来源:半导体技术 年份:2016
通过化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上制备石墨烯薄膜,研究了生长温度对薄膜的影响以及石墨烯生长机理。采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、喇曼光谱、光学显微镜(OM)、原子力显微...
[期刊论文] 作者:李佳,蔚翠,王丽,刘庆彬,何泽召,蔡树军,冯志红,, 来源:Journal of Semiconductors 年份:2014
A scalable self-aligned approach is employed to fabricate monolayer graphene field-effect transistors on semi-insulated 4H-SiC(0001) substrates. The self-aligne...
[会议论文] 作者:蔚翠,李佳,刘庆彬,何泽召,张雄文,冯志红,蔡树军, 来源:第十三届全国固体薄膜学术会议 年份:2012
使用SiC热分解法,在Si面SiC(0001)衬底上制备了1-2层外延石墨烯材料。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜、微区拉曼光谱、变温Hall测试仪(90K-500K)等研究了高真空和Ar惰性气氛下生长的外延石墨烯的形貌,层数以及电学特性的异同。研究表明,与高真空下生长的石墨......
[期刊论文] 作者:盛百城, 刘庆彬, 蔚翠, 何泽召, 高学栋, 郭建超, 周, 来源:半导体技术 年份:2004
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者:蔚翠, 何泽召, 刘庆彬, 李娴, 谢丹, 蔡树军, 冯志红, 来源:化工学报 年份:2017
在蓝宝石衬底上,利用PECVD在相对较低的温度和相对短的时间制备石墨烯。实验发现,在950℃,生长15 min,可制备纳米晶石墨烯。所制备的石墨烯为双层结构,存在较多的缺陷,使得其...
[期刊论文] 作者:王晶晶,何泽召,宋旭波,张平伟,郭辉,冯志红,蔡树军,, 来源:半导体技术 年份:2013
采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料。采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶...
[期刊论文] 作者:余浩,周闯杰,蔚翠,何泽召,宋旭波,郭建超,冯志红, 来源:半导体技术 年份:2022
对氢终端金刚石MOSFET进行物理仿真,仿真了栅介质厚度为100 nm的氧化铝栅介质的金刚石MOSFET,得到器件的最大漏电流密度超过400 mA/mm,阈值电压接近20 V,与实测器件性能接近.引入碰撞电离模型,仿真分析了不同结构器件内部电场的分布情况,在栅极边缘和漏电极附近......
[期刊论文] 作者:刘庆彬,蔚翠,何泽召,王晶晶,周闯杰,郭建超,冯志红,LIU, 来源:城市道桥与防洪 年份:2004
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者:崔朝探,陈政,郭建超,赵晓雨,何泽召,杜鹏搏,冯志红, 来源:半导体技术 年份:2022
随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展,其热耗不断增加,散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W/(m·K),是一种极具竞争力的新型散热材料,可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为53 W的GaN功率放大器进行封装......
[期刊论文] 作者:何泽召,杨克武,蔚翠,李佳,刘庆彬,芦伟立,冯志红,蔡树军,, 来源:Chinese Physics Letters 年份:2015
We report on an improved metal-graphene ohmic contact in bilayer epitaxial graphene on a SiC substrate with contact resistance below 0.1 Ω·mm.Monolayer and bi...
[期刊论文] 作者:吕元杰,宋旭波,何泽召,谭鑫,周幸叶,王元刚,顾国栋,冯志红, 来源:无机材料学报 年份:2018
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010)Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga2O3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓...
[期刊论文] 作者:周幸叶,吕元杰,谭鑫,王元刚,宋旭波,何泽召,张志荣,刘庆彬, 来源:物理学报 年份:2018
量子纠缠作为量子信息理论中最核心的部分,代表量子态一种内在的特性,是微观物质的一种根本的性质,它是以非定域的形式存在于多子量子系统中的一种神奇的物理现象.熵也是量子...
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