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[期刊论文] 作者：任丙彦,
来源：新材料产业 年份：2006
光伏产业，不仅是一项高科技工程，而且是造福人类、为子孙后代创造生存条件的德政工程，发展前景远大，未来市场空间无限。...
[期刊论文] 作者：任丙彦,李伟,
来源：电子科学学刊 年份：1991
本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主形成的影响。首次报道了低于750℃热处理所...
[期刊论文] 作者：任丙彦,李杨,,
来源：河南科技 年份：2012
近年来,GE在公路行业的应用越来越广泛,并取得了较好的效果。笔者结合所从事的公路测设工作,简要介绍GE在公路测设中的应用情况。...
[期刊论文] 作者：苏振兴,任丙彦,,
来源：技术与市场 年份：2013
针对目前我国公路建设产生的环境问题，就公路工程对环境的主要影响进行了分析，并分别对公路设计阶段、巷壬险段：、芎运险段母奠蟹砖妻孽少环境污染提出了一些防护措施。...
[期刊论文] 作者：任丙彦,甘仲惟,
来源：核技术 年份：1998
利用多种实验手段对中子辐照直位硅退火过程中特有的施主效应进行了研究；探讨了不同中子辐照注量以及氧对施主形成的影响；报道了低于７５０℃热处理所产生的“施主平台”现象。实验结......
[期刊论文] 作者：任丙彦,李养贤,
来源：河北工学院学报 年份：1991
本文通过对直拉硅进行大剂量中子辐照,并对硅片表面缺陷形成机理进行了探讨。研究表明,中照在硅片中引入大量辐照缺陷同硅片中杂质及点缺陷的相互作用,强烈地抑制了硅片表面...
[期刊论文] 作者：任丙彦,张志成,等,
来源：半导体学报 年份：2001
通过对406mm热场中氩气的流动方式及流速进行调整，得到了氧碳含量不同的硅单晶，并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来，对实验结果进行了分析，得到了降低氧碳含量的最佳氩气流......
[期刊论文] 作者：任丙彦,李养贤,,
来源：河北工学院学报 年份：1989
将原始本征 CZSi 单晶通过大剂量中子嬗变掺杂(NTD)获得了高均匀性的 NTDCZSi.采用优化的热退火工艺将 NTD 技术和 IG 技术结合起来,实现了 NTDCZSi 中氧的可控沉淀.形成了比...
[期刊论文] 作者：任丙彦,刘彩池,等,
来源：人工晶体学报 年份：2000
为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入，对常规的406mm（16英寸）热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统，使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数......
[期刊论文] 作者：任丙彦,郝秋艳,等,
来源：半导体技术 年份：2002
通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响，并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度。通过高温退......
[会议论文] 作者：任丙彦,李伟,崔德升,
来源：中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1990
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[期刊论文] 作者：李宁, 谷书辉, 任丙彦,,
来源：太阳能学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：梁秀红,鞠玉林,任丙彦,
来源：河北工业大学成人教育学院学报 年份：2000
扩散硅固态压阻传感器广泛应用于航空航天等军事和民用工业中 ,而它的压阻应变传感元件主要是用压阻效应制成的 ,并具有优于其他传感元件的特点。本文详细论述了扩散硅压阻传...
[期刊论文] 作者：任丙彦,崔德升,刘安平,,
来源：河北工学院学报 年份：1988
用低温Hall、深能级瞬态谱仪和红外吸收谱仪研究了大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中的深能级电子陷阱和浅施主能级。对这些深浅能级的形成和退火行为进行了研究。发现由于大剂量中...
[期刊论文] 作者：任丙彦,羊建坤,李彦林,,
来源：半导体技术 年份：2007
介绍了Φ200mm的太阳能用直拉硅（cz蛳）单晶生长中，采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统，进行不同热系统下的拉晶试验，平均拉速从0．6mm／min提高到0．9mm／min。用有限......
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,任丙彦,,
来源：河北工学院学报 年份：1990
单晶硅退火处理时,往往造成外来杂质的沾污,降低少子寿命,造成质量下降.采用含氯氧化气氛清洗石英管和作保护气氛可以有效地避免外来杂质沾污晶体,明显地提高退火质量....
[会议论文] 作者：徐岳生,张维连,任丙彦,
来源：中国有色金属学会第二届学术会议 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：赵透玲,任丙彦,赵龙,王文静,,
来源：光电子·激光 年份：2005
采用射频磁控溅射的方法,在溅射过程中改变沉积温度以提高铟锡氧化物(ITO)薄膜的电学和光学特性。采用扫描电镜(SEM)分析了ITO薄膜的表面形貌,发现ITO薄膜的晶粒尺寸随着衬底...
[期刊论文] 作者：赵秀玲, 任丙彦, 赵龙, 王文静,
来源：光电子．激光 年份：2005
采用射频磁控溅射的方法,在溅射过程中改变沉积温度以提高铟锡氧化物(ITO)薄膜的电学和光学特性.采用扫描电镜(SEM)分析了ITO薄膜的表面形貌,发现ITO薄膜的晶粒尺寸随着衬底...
[期刊论文] 作者：丰云恺, 李宁, 任丽, 任丙彦,,
来源：稀有金属 年份：2004
抑制p型单晶硅太阳能电池的光致衰减现象是光伏科技领域的热点和难点。掺镓直拉硅单晶工艺的突破以及在晶硅电池上的应用破解了这一难题,成功地抑制光致衰减。因为镓原子与硼...
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