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[学位论文] 作者：亓东锋,
来源：厦门大学 年份：2016
新型材料和新结构的开发和利用一直是微电子和光电子领域的研究热点，而与传统材料加工技术相比，纳秒脉冲激光技术在材料功能性结构制备领域具有得天独厚的优势:首先是非接触加......
[会议论文] 作者：亓东锋,刘翰辉,陈松岩,Costas.P.Grigoropoulos,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
在纳秒高斯脉冲激光制备金属表面功能性结构的过程中,激光在纳秒时间内辐射到材料表面,引起材料表面发生气化、烧蚀、熔化和氧化等多种热力学过程,因此系统研究激光与物质相互作用过程中热力学变化过程,对于提高光电子、微电子器件的制造工艺水平具有重要的意义......
[期刊论文] 作者：李金涛,陈松岩,亓东锋,黄巍,李成,赖虹凯,,
来源：Optoelectronics Letters 年份：2011
The band structure of the confined states is calculated for Si/SiGe multi-quantum well infrared photodetector(M-QWIP).The influence of the Ge component in pseud...
[会议论文] 作者：亓东锋,刘翰辉,陈松岩,李成,赖虹凯,黄巍,李俊,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响。当退火温度为600℃时，我们可以获得弛豫度为98％的虚衬底结构，而SiGe合金层的组分不变。当退火温度达到800℃时，底层的低温锗(LT-Ge)与上层的SiGe合金发生互扩散。当退火温度为1000℃时，Ge......
[期刊论文] 作者：高玮,亓东锋,韩响,陈松岩,李成,赖虹凯,黄巍,李俊,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：2014
利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质...
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