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[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：电子与封装 年份：2003
本文阐述了硅集成电路的发展趋势,并对集成电路的市场进行了展望。...
[期刊论文] 作者：于宗光,,
来源：电子与封装 年份：2002
本文详细介绍了在片静电泄漏(ESD)保护设计的各种技术,包括ESD测试模式,ESD失效机理,ESD保护结构,ESD器件模拟,ESD模拟,ESD版图设计,ESD与内部电路的接口等,并给出了ESD设计...
[期刊论文] 作者：于宗光,,
来源：电子与封装 年份：2002
本文介绍两种适合于高频 CMOS 模拟电路的 ESD 保护结构,即用于模拟电路的 ESD保护结构和集总(all-in-one)ESD 保护结构。模拟 ESD 保护结构用于保护模拟输入和输出端,适合于...
[期刊论文] 作者：于宗光,,
来源：微电子技术 年份：2001
本文主要介绍几种新型的ESD保护结构。包括互补SCR结构 ,双寄生SCR结构 ,低触发电压、高触发电流的横向SCR结构等 ,利用这些结构可以对CMOS集成电路的输入 /输出进行有效地ES...
[期刊论文] 作者：于宗光,,
来源：电子与封装 年份：2001
在过去的几年中,主流器件制造厂所储存的IP模块,ASIC制造厂家所建立的设计方法学,以及在电子设计自动化方面的进展等三方面的努力组合起来使得SOC可行并得到迅速发展.在设计...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：集成电路应用 年份：2002
最近几年，半导体行业波动较大，但Fabless和Foundury两种模式总体上数量和规模都在扩大，而IDM却在分化，重新考虑经营策略和自己的定位问题，并逐步向Fabless和Foundury模式转化。中...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：电子与封装 年份：2003
本文首先分析了集成电路可测性设计的必要性,接着介绍了边界扫描的基本结构、IEEE1149.1标准及指令寄存器、数据寄存器,分析了边界扫描的工作过程,介绍了基本的扫描寄存器结...
[期刊论文] 作者：于宗光,,
来源：中国卫生产业 年份：2014
目的探讨大黄汤剂蒽醌类成分测定方法及其在颅脑损伤中的应用。方法通过使用超高效液相色谱方法对大黄汤剂中的蒽醌类药物成分进行测定。选取我院70例创伤性颅脑损伤患者在通...
[期刊论文] 作者：于宗光,,
来源：电子与封装 年份：2008
文章首先回顾了集成电路的历史与现状，接着阐述了微处理器的发展历程，并扼要介绍了纳米时代的新技术，如应变硅、三栅晶体管、高K栅介质材料与金属栅电极、低-K介质材料、睡眠晶......
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：世界产品与技术 年份：2002
混合信号系统集成芯片(System on a chip,SOC)系指在单一芯片上集成信号采集、转换、存储、处理和I/O等功能,或者说将数字电路、模拟电路、信号采集和转换电路、存储器...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：世界产品与技术 年份：2003
本文首先阐述了SOC的优点，接着介绍了在SOC设计方面几个值得注意的方向，包括低功耗设计技术，SOC没计新方法．硬件仿真．可编程SOC技术等。...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2001
首先论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术.包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等.采用...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：中国继续医学教育 年份：2015
目的：研究分析不同术式治疗高血压脑出血的临床效果。方法对2010年-2013年期间收治的229例高血压脑出血患者采用不同术式治疗结果进行回顾性分析，研究不同术式治疗高血压脑出血...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：微电子学 年份：1990
本文综述了化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物研究方面的最新进展,并对它们进行了讨论。...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：电子工程师 年份：1993
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[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：微电子技术 年份：1998
本文扼要介绍逻辑加密卡、CPU卡中所采用的安全技术，如熔丝设置、密码设置、DES算法、RSA算法、数字签名及芯片制造安全技术。...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：世界产品与技术 年份：2001
电可改写集成电路(Electrically Erasable integrated circuit,EEIC)包括电可改写可编程只读存储器(EEPROM),闪速存储器(Flash memory)和可编程电可改写逻辑器件(Progra...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：半导体情报 年份：1998
主要讨论亚微米集成电路设计面临的几个问题，如器件模型、互连线的延迟与串扰、设计效率的提高、功耗、可靠性设计、建库及ＥＤＡ软件等，并介绍了这几个方面的最新研究进展...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：2003中国集成电路产业发展战略研讨会暨中国半导体行业协会IC分会年会 年份：2003
在分析全球集成电路形势的基础上,对通信、消费类电子、化合物半导体IC、MCU、Flash memory等IC市场进行了探讨。论述了IDM和Fabless、Foundry三种经营模式的特点与前途,并对...
[期刊论文] 作者：于宗光,
来源：半导体技术 年份：1999
详细研究了Ｎ＾＋埋层－隧道氧化层－多晶硅电容和Ｐ型衬底－隧道氧化层－多晶硅电容在高场应力下的高频Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性的漂移，以及两种电容在隧道氧化层中陷阱电荷的产生现象。......
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