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[期刊论文] 作者：张素英,乔怡敏,
来源：半导体学报 年份：1985
在28-160K温度范围内测量了液相外延制备的n-PbTe/p-PbSnTe异质结构二极管的零偏压结电阻面积乘积R_oA.采用通常的p-n结模型计算了R_oA的温度关系,并与实验曲线进行比较,结果...
[期刊论文] 作者：于梅芳,乔怡敏,戴宁,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
本文论述了用热壁外延的方法在CdTe体材料衬底上生长CdTe,并且用各种方法对CdTe外延层进行的研究。为提高衬底材料的质量。我们采用热壁外延方法在CdTe体材料衬底上再外延生...
[会议论文] 作者：陈路,巫艳,于梅芳,乔怡敏,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：戴宁,于梅芳,乔怡敏,罗兴华,
来源：红外研究(A辑) 年份：1987
采用热壁外延的方法在CdTe体材料衬底上外延一层CdTe,获得质量优于衬底的外延膜。外延层用X射线衍射定向,方向与衬底同为(111)。比较外延层和体材料电反射谱,表明外延层的质...
[会议论文] 作者：于梅芳,巫艳,陈路,乔怡敏,何力,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文报道了用MBE方法,在ZnCdTe衬底上制备低位错HgCdTe薄膜的研究结果,对如何评价,统计位错密度进行了探讨....
[期刊论文] 作者：吴俊,巫艳,陈路,于梅芳,乔怡敏,何力,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
报道了用二次离子质谱分析(SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果.发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低,并与Hg的介入密切相关.对于单晶HgCdTe外延,在...
[期刊论文] 作者：陈益栋,刘兴权,陆卫,乔怡敏,王贤仁,
来源：红外与毫米波学报 年份：2000
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成...
[期刊论文] 作者：钟建国,谢钦熙,张恕明,乔怡敏,袁诗鑫,
来源：半导体学报 年份：1990
本文报道了单晶ZnSe、ZnTe和CdTe薄膜在Ge(100)衬底上的MBE生长,用RHEED观察了其生长规律,并对样品作了X光衍射及SIMS等测试分析。观察到衬底与外延层之间存在晶向偏角。对这...
[期刊论文] 作者：张素英,陈泉森,贡树行,乔怡敏,余中和,
来源：红外研究 年份：1984
本文用液相外延方法制备异质n/p结构n-PbTe/p-PbSnTe/p~+-PbSnTe外延片。衬底为汽相法生长的PbSnTe,晶向为(100),外延生长温度为520°～550℃。在纯净氢气氛下长出平整无沾铅的...
[会议论文] 作者：巫艳,陈路,于梅芳,乔怡敏,吴俊,何力,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文报道了用MBE的方法生长的参In HgCdTe材料的研究结果.比较了低浓度掺In HgCdTe材料以及非故意掺杂HgCdTe的电学性质,讨论了杂质补偿效应对材料电学性质的影响....
[期刊论文] 作者：于梅芳,巫艳,陈路,乔怡敏,杨建荣,何力,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备HgCdTe薄膜的位错密度研究结果.研究发现HgCdTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、HgCdTe生长条件以及材料组分密切相关.通过...
[期刊论文] 作者：陈路,巫艳,于梅芳,王善力,乔怡敏,何力,
来源：红外与毫米波学报 年份：2001
采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷.借助SEM分析了不同缺陷的成核机制,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件.发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因...
[期刊论文] 作者：巫艳,于梅芳,陈路,乔怡敏,杨建荣,何力,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果.研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组...
[期刊论文] 作者：巫艳,王善力,陈路,于梅芳,乔怡敏,何力,
来源：红外与毫米波学报 年份：2001
报道了用MBE方法生长掺In的n型HgCdTe材料的研究结果.发现In 作为n型施主在HgCdTe中电学激活率接近100%,其施主电离激活能至少小于0.6meV.确认了在制备红外焦平面探测器时有...
[期刊论文] 作者：吴俊,魏青竹,巫艳,陈路,于梅芳,乔怡敏,何力,,
来源：红外与激光工程 年份：2006
对原位 As4掺杂 MBE HgCdTe 材料退火前后的电学性质进行了研究。原生样品以及 N 型退火样品的测试结果显示,随着 As 掺杂进入 HgCdTe 的同时,样品中产生了额外的 Hg 空位,并...
[期刊论文] 作者：陆俭,陈卫东,唐文国,于梅芳,乔怡敏,袁诗鑫,
来源：激光与红外 年份：1990
利用分子束外延方法在国内首次在(100)GaAs衬底上可控制的获得了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层。X光的衍射结果表明外延层为单晶薄膜。光荧光的半峰宽为10meV左右。本文...
[期刊论文] 作者：陈路,王元樟,巫艳,吴俊,于梅芳,乔怡敏,何力,
来源：红外与毫米波学报 年份：2005
报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTe IRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表...
[期刊论文] 作者：刘兴权,陆卫,陈效双,乔怡敏,史国良,沈学础,
来源：半导体学报 年份：1998
本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃......
[期刊论文] 作者：陈路,王元樟,巫艳,吴俊,于梅芳,乔怡敏,何力,
来源：首届全国先进焦平面技术研讨会 年份：2005
文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基Cd...
[期刊论文] 作者：刘兴权,陆卫,陈效双,乔怡敏,史国良,沈学础,
来源：量子电子学报 年份：1997
本文利用光调制光谱与分子束外延结合的方法，原位测量ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，排除了ＦＫ振荡对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到Ｓｉ－δ掺杂结构中价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁及......
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