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[学位论文] 作者:万星拱, 来源:中国科学院固体物理研究所 年份:1998
[学位论文] 作者:万星拱, 来源:复旦大学 年份:2001
该课题方向是有机电双稳薄膜记忆特性的研究,主要成果为:●首次发现全有机络合物Perylene-TCNQ薄膜、单有机Perylene薄膜、聚合物PEN薄膜具有电双稳跃迁特性,并对比了相互性...
[期刊论文] 作者:赵毅,万星拱,, 来源:半导体技术 年份:2007
可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题。随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价......
[期刊论文] 作者:赵兵,万星拱, 来源:低温物理学报 年份:1999
通过后期的氧气氛退火工艺,在Bi2223/Ag 包套带材中引入纳米脱溶相,使得材料磁通钉扎能力显著提高,改善了输运性能.XRD 和SEM 分析表明退火过程中,从(Bi,Pb)2223 基体晶粒内脱溶出的细小第二相粒子.钉扎力......
[期刊论文] 作者:赵毅,万星拱, 来源:半导体学报 年份:2008
通过结合发光显微镜(EMMI)测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间,避免了栅极氧化膜的早期失效.从栅极氧化膜击穿电压的测试结果可以看出,当刻蚀时间较短时,一个......
[期刊论文] 作者:赵毅,万星拱,, 来源:物理学报 年份:2006
用斜坡电压法(Voltage Ramp,V-ramp)评价了0·18μm双栅极CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge toBreakdown,Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown,Vbd).研究结果表明,低压器...
[期刊论文] 作者:赵毅,万星拱,, 来源:半导体学报 年份:2008
通过结合发光显微镜(EMMI)测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间,避免了栅极氧化膜的早期失效.从栅极氧化膜击穿电压的测试结果可以看出,当刻蚀时间较短时...
[期刊论文] 作者:赵毅,万星拱,徐向明, 来源:半导体学报 年份:2005
提出了一种快速推算栅极氧化膜TDDB寿命的新方法.该方法可以用于对工艺的实时监控.通常情况下,为了得到栅极氧化膜在器件使用温度下的TDDB寿命,必须得到三个在一定温度下的不同电......
[期刊论文] 作者:赵毅,万星拱,徐向明,, 来源:半导体学报 年份:2005
提出了一种快速推算栅极氧化膜TDDB寿命的新方法.该方法可以用于对工艺的实时监控.通常情况下,为了得到栅极氧化膜在器件使用温度下的TDDB寿命,必须得到三个在一定温度下的不...
[期刊论文] 作者:赵毅,万星拱,徐向明,曹刚,卜皎, 来源:半导体学报 年份:2006
利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0.18μmCMOS工艺栅氧的可靠性,获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法.对用这两种方法得到的击穿电压和击穿......
[会议论文] 作者:赵兵,万星拱,宋文海,蒲明华, 来源:1998年中国材料研讨会 年份:1998
氧气氛下退火使Bi-2223/Ag银包套带材的磁通钉扎能力得到很大提高。分析表明从(Bi,Pb)-2223基体晶粒内析出的Ca〈,2〉PbO〈,4〉第二相粒子是材料磁通钉扎能力提高的主要原因。由于氧退火工艺简单易行,效果显著......
[期刊论文] 作者:赵毅,万星拱,徐向明,曹刚,卜皎,, 来源:半导体学报 年份:2006
利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0.18μm CMOS工艺栅氧的可靠性,获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法.对用这两种方法得到的击穿电压和...
[期刊论文] 作者:谢亨博,蒋益明,郭峰,万星拱,李劲, 来源:功能材料 年份:2004
采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR制成Al/PAR/Al夹层结构.详细研究了薄膜厚度、电极面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的影响.结果表明,采用适当的工艺,能够...
[期刊论文] 作者:蒋益明,谢亨博,郭峰,万星拱,李劲, 来源:功能材料 年份:2004
用真空蒸法的方法制备了Ag-TCNQ电双稳薄膜.研究了在不同的电压作用下薄膜的阻抗转变规律.发现了阻抗转变过程中的疲劳和锻炼效应:即用连续的高于阈值的窄电压脉冲作用于薄膜...
[期刊论文] 作者:谢亨博,蒋益明,万星拱,郭峰,李劲, 来源:真空科学与技术 年份:2003
采用真空蒸发的方法制备了PAR薄膜,研究了不同外电路参数下薄膜的电双稳特性.发现薄膜在从高阻向低阻转变时会经历一个短暂的具有非线性阻抗的中间态,并且在整个转变过程中存...
[期刊论文] 作者:蒋益明,万星拱,谢亨博,李劲,华中一, 来源:真空科学与技术 年份:2003
采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag-TCNQ金属-有机络合物薄膜,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性.发现在转变过程中存在着一种能量效应,即当外电压...
[期刊论文] 作者:蒋益明,万星拱,郭峰,谢亨博,刘平,李劲, 来源:功能材料与器件学报 年份:2004
发现了在室温下具有电双稳特性的聚合物材料聚对萘二甲酸乙二酯(PEN).通过真空蒸发方法制备的PEN薄膜,其表面晶粒尺寸小于100nm,粗糙度也为纳米量级,而且具有较高的热稳定性....
[期刊论文] 作者:郭峰,蒋益明,谢亨博,万星拱,胡敬平,李劲, 来源:物理学报 年份:2005
采用真空蒸发的方法制备了PEN材料薄膜 ,研究了不同外电路参数下薄膜的电双稳特性 .发现薄膜从高阻向低阻转变过程所需时间随电流非线性下降 ,此期间薄膜阻抗也呈现非线性 ,...
[期刊论文] 作者:唐逸,万星拱,顾祥,王文渊,张会锐,刘玉伟,, 来源:半导体学报 年份:2009
An improved hot carrier injection (HCI) degradation model was proposed based on interface trap generation and oxide charge injection theory.It was evident that...
[期刊论文] 作者:蒋益明,谢亨博,郭峰,万星拱,李劲,JIANGYi-ming,XIEHeng-bo,GUOFeng,WANXing-gong,LIJin, 来源:城市道桥与防洪 年份:2004
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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