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[期刊论文] 作者：Wen Xiang-e (1) Li Shi-qing (1,
来源：武汉大学学报：自然科学英文版 年份：1999
从一样的晶片提取的高纯净 InP 的二件样品被正电子歼灭光谱分析在是以后检验，借助于做的热中子变化(NTD ) 处理了。与有在 300 K 的 246 ps 的平均正电子一生的同样成年的样...
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