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碳纳米管场效应管四进制全加器设计与分析（英文）
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CMOS二进制逻辑受短沟道效应、功率密度及互连约束等条件的限制。非硅多值逻辑计算是克服上述问题的一种有效方案。本研究在碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect...
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[期刊论文] 作者：Mohammad Hossein MOAIYERI,Shima SEDIGHIANI,Fazel SHARIFI,Keivan NAVI, 来源：信息与电子工程前沿（英文版） 年份：2016
CMOS binary logic is limited by short channel effects, power density, and interconnection restrictions. The effective solution is non-silicon multiple-valued lo...
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