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[期刊论文] 作者：林德曼, P.弗利德里奇, R.卢普,
来源：电力电子 年份：2003
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[期刊论文] 作者：A.林德曼,P.弗利德里奇,R.卢普,,
来源：电力电子 年份：2003
随着半导体工业的发展,现在已经可以生产用砷化镓或碳化硅材料为基片的新型大功率肖特基二极管。这篇论文描述了两个方面的内容,主要是了解这些器件的工作特性。当替换常规器...
[期刊论文] 作者：H.卡普斯,M.科拉奇,C.米斯尼尔,R.卢普,L.兹弗里夫,
来源：电力电子 年份：2003
崭新的碳化硅(SiC)肖特基二极管优于它的竞争者,具有600V的阻断电压;而且没有反向恢复电荷和反向恢复电流。...
[期刊论文] 作者：卡普斯,M.科拉奇,C.米斯尼尔,R.卢普,L.兹弗里夫,J.M,
来源：电力电子 年份：2003
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[期刊论文] 作者：H.卡普斯,M.科拉奇,C.米斯尼尔,R.卢普,L.兹弗里夫,J.M.汉克柯,,
来源：电力电子 年份：2003
崭新的碳化硅(SiC)肖特基二极管优于它的竞争者,具有600V的阻断电压;而且没有反向恢复电荷和反向恢复电流。The new silicon carbide (SiC) Schottky diode outperforms it...
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