搜索筛选:
搜索耗时1.0608秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 8 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：Hao WANG,Chang-sheng LI,Rui-bin MEI,Gang HUO,
来源：城市道桥与防洪 年份：2014
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：WU Yong-ping,XIE Pan-shi,REN Shi-guang,LI Rui-bin,
来源：煤炭学报（英文版） 年份：2008
Steeply dipping seam group, which has complex occurrence conditions, belongs to the steeply dipping seam. The research on the strata movement around the coalface not only improves safe production technology in practice, but also develops th......
[会议论文] 作者：Bo Li,Rui-bin Huang,Yi-bo Liang,Chen-wei Lu,Hai-wei Xu,Hong-min Liu,
来源：全国药物化学学术会议暨第四届中英药物化学学术会议 年份：2013
...
,Study on the dose rate upset effect of partially depleted silicon-on-insulator static random access
[期刊论文] 作者：Zhao Fa-Zhan,Liu Meng-Xin,Guo Tian-Lei,Liu Gang,Hai Chao-He,Han Zheng-Sheng,Yang Shan-Chao,Li Rui-Bin,
来源：中国物理B(英文版) 年份：2008
This paper implements the study on the Dose Rate Upset effect of PDSOI SRAM (Partially Depleted SiliconOn-Insulator Static Random Access Memory) with the Qiangg...
[会议论文] 作者：YANG Shan-chao,MA Qiang,JIN Xiao-ming,LI Rui-bin,LIN Dong-sheng,CHEN Wei,LIU Yan,杨善潮,马强,金晓明,李瑞宾,林东生,陈伟,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象，在“强光一号”加速器上，对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究，获得了单...
[会议论文] 作者：YANG Shan-chao,杨善潮,MA Qiang,马强,JIN Xiao-ming,金晓明,LI Rui-bin,李瑞宾,LIN Dong-sheng,林东生,CHEN Wei,陈伟,LIU Yan,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象，在“强光一号”加速器上，对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究，获得了单片机的闩锁阈值，得到了功耗电流、I/O输出随剂量率的变化规律，从实验上证实了电源芯片对单片......
[会议论文] 作者：MA Qiang,LIN Dong-sheng,JIN Xiao-ming,CHEN Wei,YANG Shan-chao,LI Rui-bin,QI Chao,WANG Gui-zhen,马强,林东生,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
利用正交设计法设计了实验方案，可通过较少的实验获得满意的实验结果。在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验，研究了不同因素对CA3140...
[会议论文] 作者：MA Qiang,马强,林东生,LIN Dong-sheng,JIN Xiao-ming,金晓明,CHEN Wei,陈伟,YANG Shan-chao,杨善潮,LI Rui-bin,李瑞宾,齐超,QI,
来源：第八届(2012)北京核学会核应用技术学术交流会 年份：2012
利用正交设计法设计了实验方案，可通过较少的实验获得满意的实验结果。在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验，研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响，得到不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水......
相关搜索：
