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[期刊论文] 作者：L、C.Luther,J.V.Dilorenzo,王家源,,
来源：半导体情报 年份：2004
改进的里德型低-高-低高效率砷化镓崩越二极管的研制需要特殊的生长技术,即薄层(100～1000埃)能可控生长以及 n 型杂质浓度高度准确。为满足这一需要,设计了一个适用于标准的化...
[期刊论文] 作者：J.V.Dilorenzo,W.R.Wisseman,李松发,,
来源：半导体情报 年份：1980
本文评述 GsAs 金属-半导体功率场效应晶体管的技术发展水平,所涉及到的内容为:从材料和几何结构的角度讨论器件的工作原理、设计、制造程序、各实验室所采用的材料结构、从...
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