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[期刊论文] 作者：刘昌龙, 尹立军, 吕依颖, 阮永丰, E.Ntsoenzo,
来源：人工晶体学报 年份：2005
40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌.结果表明,三种能...
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