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[期刊论文] 作者：Bomy CHEN,
来源：Journal of Materials Science & Technology 年份：2005
The amorphous Ge2Sb2Te5 film with stoichiometric compositions was deposited by co-sputtering of separate Ge, Sb, and Te targets on SiO2/Si (100) wafer in ultrah...
[会议论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,Bomy Chen,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用磁控射频溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电......
[期刊论文] 作者：洪洋,林殷茵,汤庭鳌,Bomy Chen,,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：2006
基于相变存储器（PCM）已有的2T2R结构，提出一种以比值为导向的状态定义方法，以实现2T2R结构下PCM的多值存储．它在相变电阻具有4态可编写的能力下，可以实现单元内8态存储，同时对小尺寸......
[期刊论文] 作者：洪洋,林殷茵,汤庭鳌,BOMY Chen,
来源：复旦学报（自然科学版） 年份：2004
基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下,可以实现单元内8态存储,同时...
[会议论文] 作者：Zhonghua Zhang,Sannian Song,Zhitang Song,Yan Cheng,Bomy Chen,
来源：International Conference on Nanoscience & Technology,China 2 年份：2013
The microstructure and thermal properties of Si-implanted Sb2Te3 were investigated.Crystalline Si-implanted Sb2Te3 film with relatively uniform composition depth profile was fabricated which consists...
[期刊论文] 作者：Huo Ruru,Cai Daolin,Bomy Chen,Chen Yifeng,Wang Yuchan,Wang Yueqing,Wei Hongyang,
来源：城市道桥与防洪 年份：2016
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：徐成,刘波,冯高明,吴良才,宋志棠,封松林,Bomy Chen,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2008
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：张祖发,张胤,冯洁,蔡燕飞,林殷茵,蔡炳初,汤庭鳌,Bomy Chen,,
来源：物理学报 年份：2007
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器...
[期刊论文] 作者：刘欣,周鹏,林殷茵,汤庭鳌,赖云峰,乔保卫,冯洁,蔡炳初,Bomy Chen,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：2008
提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统“高阻态”和“低阻态”两态之间稳定的中间电阻状态.与传...
[会议论文] 作者：Chao Zhang,Bomy Chen,Songlin Feng,Zhitang Song,Guanping Wu,Bo Liu,Yan Liu,Heng Wang,Lianhong Wang,Lei,
来源：International Conference on Nanoscience & Technology,China 2 年份：2013
Phase change random access memory (PCRAM) featured by its fast access time, low power, low cost, long endurance, good data retention, the well-matched complementary metal oxide semiconductor (CMOS) te...
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