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[期刊论文] 作者：史常忻,A.Mesquida Kusters,A.Kohl,R.Muller,K.Heime,
来源：半导体学报 年份：1993
本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm~2)...
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