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[会议论文] 作者：黄美浅,袁骏,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：李观启,黄美浅,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1990
本文研究中间退火处理对薄SiO2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄SiO2膜的缺陷密度和固定电荷密度随中间退火温...
[期刊论文] 作者：李观启,黄美浅,
来源：半导体学报 年份：1990
实验结果表明,利用O2/N2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O2/NH3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理...
[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1991
本文提出的用 O2/N2进行中间氧化（退火）的两步热氮化工艺,能将 SiOxNy-Si 系统的界面态密度和固定电荷密度减少到可与干氧氧化膜相比拟的程度,且保持了 SiOxNy膜优异的介电特性...
[期刊论文] 作者：曾绍鸿,黄美浅,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明，上......
[期刊论文] 作者：曾勇彪,黄美浅,
来源：广东电子 年份：1994
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[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
研究不同类型，不同沟道长的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化......
[期刊论文] 作者：李观启,黄美浅,
来源：半导体技术 年份：1990
本文提出了一种低分压的湿-干氧氧化方法。利用该方法生长的薄氧化膜,具有比干氧氧化低的缺陷密度和优越的电击穿特性,而且固定电荷密度基本不变或稍有降低。实验结果表明,在...
[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,等,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了低能量背面Ar^+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响。用低能量（550eV）的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面，能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度。饱和区低频噪声的减小...
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李斌,李观启,
来源：电子元件与材料 年份：2004
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响。实验结果表明,在退火温...
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李斌,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2004
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺，在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-xSrTiO3)薄膜，再在氧气氛中进行不同条件的退火处理，然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极，从而......
[期刊论文] 作者：敬小成,黄美浅,姚若河,
来源：微电子学 年份：2005
文章研究了采用氩气和氦气作携带气体时气体流量对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。实验结果表明,当采用氩气作携带气体时,其流量选择在氩气∶刻蚀气体≈1∶1...
[期刊论文] 作者：宋清,黄美浅,李观启,
来源：应用光学 年份：2005
利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-x SrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器.测试了...
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李斌,李观启,
来源：华南理工大学学报 年份：2004
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-χsrχTiO3)薄膜,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电...
[期刊论文] 作者：宋清,黄美浅,李观启,
来源：应用光学 年份：2005
利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45 nm的钛铌酸锶钡(Ba1-XSrXNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-XSrXNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器.测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电......
[期刊论文] 作者：林晓玲, 黄美浅, 章晓文,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2004
对两种型号的热敏电阻样品进行测量,测试它们的R-T特性,设计了一种简便有效的、0℃时电阻值的测试方法,与小型高低温箱中0℃时测得的电阻值作对比,测量结果其有相当好的符合...
[期刊论文] 作者：李旭,黄美浅,陈平,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2003
在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后,采用低能量氩离子束轰击芯片背面,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数.实验结果表...
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李旭,李观启,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2005
用550eV的低能量Ar+离子束轰击n-MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率)以及低频噪声等.结果表...
[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,曾绍洪,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了低能量背面Ar^+轰击对n-沟MOSFET特性的影响，用低能量（550eV)氩离子束轰击－n沟MOSFET芯片的背面，能改善其阈值电压VT，跨导gm，沟道电导gd和有效迁移率μefft等参数。结果表明，......
[期刊论文] 作者：黄美浅,陈平,李旭,李观启,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2003
研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性.用低能量(550 eV)的Ar+轰击n-MOSFET芯片的背面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨...
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