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[会议论文] 作者：曾飞;鹿思珩;李思钊;李骁骏;潘峰;,
来源：中国真空学会2014年年会 年份：2014
近年来，随着人们对复杂计算需求的增长，基于忆阻器的类脑计算成为了一个热门的研究领域。利用简单的器件模拟生物突触和生物学习功能逐渐成为材料、信息以及神经科学领域所......
[会议论文] 作者：曾飞,鹿思珩,董文帅,李骁骏,刘奥,
来源：中国真空学会2014年年会 年份：2014
我们报导有机半导体与金属电极、有机半导体与有机电解质界面效应产生的2 类记忆和学习现象。在Ti/PEDOT：PSS/Ti 结构器件中，利用界面Ti 化合物与半导体PEDOT：PSS 相互对立的阻变现象，模拟了基本的Hebian 学习模式和时间相关可塑性。在Ag/PEDOT：PSS/Ta 结构中利用Ag ......
[会议论文] 作者：宗恺,鹿思珩,孙玉绣,刘晶冰,汪浩,严辉,
来源：第13届中国光伏大会 年份：2013
本文采用热注入法制备了不同Ge元素掺杂比例的CZTGSe纳米晶,纳米晶的尺寸在1020 nm之间.采用X射线衍射仪(XRD、投射电子显微镜(TEM)及UV-Vis光谱分析仪对纳米晶的结构、形貌、成分及光学性能等进行了分析研究.发现Ge元素掺杂量为0.7时,CZTGSe的禁带宽度为1.52 e......
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