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[期刊论文] 作者：魏昌俊,
来源：重庆交通学院学报 年份：1998
本文对比分析服几种半刚性路面基层的劈裂疲劳和弯拉疲劳特性，应用强度理论对劈裂疲劳力学模型和弯拉疲劳力学模型条件下时刚性基层的疲劳寿命作了分析。...
[学位论文] 作者：魏昌俊,,
来源：华北电力大学(北京) 年份：2018
碳化硅(SiC)材料相比于传统硅(Si)材料具有很多优异的特性,表现为禁带宽度大、本征温度高、击穿场强高、热导率高等。SiC材料制造技术的发展,为实现基于SiC材料的新型半导体...
[期刊论文] 作者：孙鹏,魏昌俊,柯俊吉,赵志斌,杨霏,,
来源：智能电网 年份：2017
碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态...
[期刊论文] 作者：魏昌俊,孙鹏,柯俊吉,赵志斌,杨霏,,
来源：智能电网 年份：2017
短路能力是衡量功率半导体器件(IGBT、SiC MOSFET等)性能的重要指标,然而SiC MOSFET的短路性能还没有得到充分的研究。为掌握SiC MOSFET在短路工况下的特性,设计一套SiC MOSF...
[期刊论文] 作者：徐鹏,柯俊吉,赵志斌,谢宗奎,魏昌俊,
来源：华北电力大学学报：自然科学版 年份：2018
为了获取碳化硅（Si C）MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在...
[期刊论文] 作者：柯俊吉,赵志斌,魏昌俊,徐鹏,谢宗奎,杨霏,,
来源：半导体技术 年份：2017
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,...
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