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[期刊论文] 作者：韦以富,,
来源：当代广西 年份：2015
前不久,笔者随贵港市生态乡村工作调研队来到覃塘区蒙公乡蒙公村高禁屯,放眼望去,只见屯中水泥路四通八达,干干净净,几乎见不到一点垃圾,看来作为清洁乡村示范屯,高禁屯当之...
[期刊论文] 作者：高禁,
来源：软件 年份：2022
随着电力自动化系统的日益发展，电子信息技术与电力自动化系统融合得越来越紧密。为了更好地让电子信息技术在电力自动化系统中发挥作用。本文基于现有的工作经验，简述电子信息技术在电力自动化系统中运用的必要性及应用特点，探究电子信息技术在电力自动化系统中的......
[期刊论文] 作者：高禁,
来源：中国信息化 年份：2022
＜正＞网络信息技术的高速发展，让人们的生活与工作都得到极大的便利性，但同时网络中也存在很多安全问题。网络世界属于虚拟空间，不法分子利用网络的虚拟性进行非法入侵，从而盗取他人的私人信息，造成了较为严重的安全问题。人工智能技术具备智能化、自动化的管理方式，将其......
[期刊论文] 作者：高禁,郝星星,封岸松,
来源：光源与照明 年份：2021
文章设计的用电器分析识别装置以STM32单片机为核心,应用数据采集模块的采集功能采集识别各种用电器的参量.JSY-MK-163单向互感式计量模块可以准确地测量用电器工作时的电压、电流、电功率、电能、频率等,并在STM32单片机上的LCD显示屏显示所测得的电量参数.在......
[期刊论文] 作者：高禁,郝星星,封岸松,
来源：光源与照明 年份：2021
文章主要研究变电站在线监测的新技术,通过运用新的传感器技术和通信技术提高变电站的工作效率.通过分析采样信息得知,在线监测系统能够检测变压器的状态,在变压器出现故障时,系统能够及时发出报警信号,并能够诊断故障原因,明确故障类型,给出解决方案.文章从分......
[期刊论文] 作者：钮浪,石洁昀,潘威,
来源：科学与信息化 年份：2018
X/Ku波段宽带GaN微波固态功放技术具有热导率高、禁带宽度大、临界击穿电场高的优势,在宽带大功率器件的应用上具有很好的发展前景。而且相对其他功放,X/Ku波段宽带GaN微波固...
[期刊论文] 作者：平心,
来源：供热制冷 年份：2017
众所周知,目前“煤改气”是行业过渡阶段的核心政策.“2＋26”个城市“煤改气”补贴金额高,禁煤区执行力度强,有望对相关标的接驳工程、燃气设备销售、燃气销售带来脉冲式增长....
[学位论文] 作者：宁祥,
来源：杭州电子科技大学 年份：2016
GaN系（基）RTD由于GaN材料的优越特性，如高电子速率峰值、高饱和电子速率峰值、高热稳定性、高禁带宽度、高击穿电场、高输出功率等，因此它在多值逻辑电路、低功耗模拟电路、微波...
[学位论文] 作者：蔡粉沙,
来源：华中科技大学 年份：2017
有机-无机杂化钙钛矿材料以其载流子扩散长度长、迁移率高、禁带宽度合适、消光系数大、物理缺陷良性和成本低廉等特性被广泛关注。然而,大部分的研究应用主要集中于有机-无...
[会议论文] 作者：张颖怀,徐岳生,刘彩池,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
GaAs具有电子迁移率高、禁带宽度大以及直接越迁型能带结构等特性,这是由它的特殊结构决定的.影响其电学性能的因素很多,本文简述了杂质元素改变晶体结构从而改变晶体电学性...
[学位论文] 作者：廖天,,
来源：电子科技大学 年份：2019
碳化硅（SiC）材料具有临界击穿电场强,热导率高,禁带宽度大等特点,在高功率、高频、高温的电力电子系统应用中具有优势。SiC MOSFET器件是压控器件中最能充分发挥材料优越性能的...
[学位论文] 作者：李晓韬,,
来源：长春理工大学 年份：2012
ZnSe属直接带隙Ⅱ-Ⅵ族的半导体晶体,具有红外波段透射率高、禁带宽度大等诸多优良的光学特性,在红外窗口材料、叠层多结太阳能电池和电致发光器件等方面有着广泛的应用。目...
[学位论文] 作者：席曼曼,,
来源：华中科技大学 年份：2015
InP、InGaAs P等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料具有电子迁移率高、禁带宽度大、多数为直接跃迁带隙材料等特性,可用于制备高速、高频半导体器件和半导体激光器、半导体光放大器等光电器...
[期刊论文] 作者：王壮苗,彭小改,孙雨,张灿云,陈进,王凤超,
来源：应用技术学报 年份：2020
全无机钙钛矿CsPbX3量子点因具备光致发光量子效率高、禁带宽度可调、激发带宽窄等优异的光学特性,在照明、显示领域备受关注。介绍了该体系材料的主要制备方法,如热注入法、...
[期刊论文] 作者：徐慧超,张金洲,沈浩元,张光明,
来源：核技术 年份：2005
碲锌镉(CZT)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率,因此近年来发展迅速.我们实验...
[学位论文] 作者：吕晶,
来源：河北工业大学 年份：2009
随着半导体技术的产业化，GaAs 材料凭借其电子迁移率高、禁带宽度大、本征载流子浓度低、光电特性好及对磁场敏感度强等优良的物理特性，制成的各种器件应用范围愈加广泛，GaAs 赝...
[会议论文] 作者：刘兰兰[1]林松盛[2]曾德长[3]代明江[2]胡芳[2],
来源：中国真空学会2012学术交流会 年份：2012
AlN薄膜具有很多优异的性能：高热导率(300W/(m·K))、高禁带宽度(6.2eV)、高击穿场强(14×106V/cm)以及良好的绝缘性能(电阻率大于1013Ω·cm)等.如此优异的性能使得AlN...
[学位论文] 作者：闫勇,,
来源：西南交通大学 年份：2016
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池具有光电转换效率高、禁带宽度可调、不衰退等显著优点是未来薄膜太阳能电池的选择之一。光吸收层是CIGS电池最关键、核心的功能层,实现吸收太阳...
[学位论文] 作者：蒋秉轩,,
来源： 年份：2013
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,具有高禁带宽度,高击穿电场强度、高电子饱和漂移速度、高热导率等特性。这些特性使SiC半导体材料可用于制作高温、高频、抗辐射和大功率的电...
[学位论文] 作者：丁宁,,
来源： 年份：2014
随着科学技术的高速进步,以Ga N为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温、大功率、微波器件领域拥有广泛的应用前景,其...
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