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[期刊论文] 作者：顾书林,
来源：管理观察 年份：2009
近两年来，随着教学行为规范化的不断推进，提高课堂教学效益引起了广大教育工作者的高度重视，多种先进的教学方法被广大教师吸纳和推广，特别以山东诸城一中的“大课堂”教学模式和......
[期刊论文] 作者：顾书林,
来源：新材料新装饰 年份：2014
陶瓷是一种历史悠久的建筑装饰材料，在现代的建筑装修工程中陶瓷制品仍然被广泛应用。陶瓷饰面砖被越来越多的应用到建筑装饰工程上，因此，对建筑装饰陶瓷饰面砖的研究也得到了人......
[期刊论文] 作者：顾书林,张宁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
报告了氢化物气相外延技术中，在载气氮气氛中加入氢气对材料表面形貌及材料性质的影响。实验发现生长气氛中氛的存在会显著改进材料的质量，这种作用被归之于氢气氛下氮气在气相......
[期刊论文] 作者：江宁,顾书林,
来源：半导体学报 年份：1997
本文发展卫种ＳｉＯ２上多晶ＧｅＳｉ再结晶的方法，研究了其再结晶性质。由ＲＲＨ／ＶＬＰＣＶＤ系统在ＳｉＯ２上生长的性能优良的多晶ＧｅＳｉ材料，经能量为１８０ｋｅＶ，剂量为２×１０＾４ｃｍ＾－２的Ｓｉ＾＋离子注入非晶化处理后，形成具有一定损伤分布的非晶层。由此......
[期刊论文] 作者：吴军,顾书林,
来源：高技术通讯 年份：2000
对利用超低压化学气相淀积技术在Ｓｉ上自组织生长Ｇｅ量子点的特征进行了研究，发现生长温度对Ｇｅ量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延的结果，这种现象与ＶＬＰ－ＣＶＤ表面控制反应模式有关，实验......
[期刊论文] 作者：顾书林,王荣华,
来源：半导体学报 年份：1995
本文使用快速热处理超计ＣＶＤ方法，通过分解ＳｉＨ４及ＧｅＨ４气体生长ＳｉＧｅ合金层。俄歇电子能谱被用业检测ＳｉＧｅ合金层的厚度。实验发现：随着生长温度的升高，ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子的结合率增加到最大值，然后减小；ＳｉＧｅ合金的生......
[期刊论文] 作者：顾书林,张荣,
来源：电子学报 年份：1995
本文利用喇曼光谱研究了使用快速热处理、超低压化学气相淀积方法生长的应变ＳｉＧｅ合金的微结构性质。俄歇电子能谱被用来测量ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组分。实验中发现：高Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子分布较低......
[期刊论文] 作者：郑有斗,顾书林,
来源：光仪技术 年份：1992
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[期刊论文] 作者：陈童,顾书林,等,
来源：半导体学报 年份：2003
使用CO2、O2氧是到了Z nO择优取向薄膜样品，实验证实了小尺寸的交流高压离化器确实能够为低压金属有机物化学气相沉积（LP－MOCVD）生长ZnO薄膜提供有效的离化氧源支持，运用电晕放电......
[期刊论文] 作者：江若琏,顾书林,
来源：高技术通讯 年份：1996
采用快速加热，超低压化学气相淀积方法，在－Ｇｅ衬底上外延生长－ＧｅＳｉ－Ｓｉ薄层，首次研制成功了１．３－１．５５μｍ波段的ＧｅＳｉ异质结红外探测器，其主要参数性能优于该波段的同类型Ｇｅ探测器。......
[期刊论文] 作者：顾书林,何宇亮,
来源：薄膜科学与技术 年份：1992
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[期刊论文] 作者：顾书林,何宇亮,
来源：电子学报 年份：1993
本文通过共振核反应与红外吸收两种实验方法,对用PECVD法淀积的非晶碳膜中氢原子在不同剂量电子辐照下的行为,进行了深入的研究.不同剂量的电子辐照,使碳膜样品中的氢含量大...
[期刊论文] 作者：顾书林,何宇亮,等,
来源：半导体学报 年份：1993
使用不同剂量的电子束（1．0×10^13－6．0×10^14Rad,13Mev)对用PECVD法沉淀的a-C:H薄膜进行了电子辐照改性研究。广角X光衍射、红外吸收、喇曼散射和共振核反应对样品结构...
[期刊论文] 作者：叶建东,顾书林,等,
来源：半导体学报 年份：2002
利用喇曼光谱和光致发光谱，对采用氢化气相外延沉积方法在MOCVD GaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究，结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高，喇曼谱出现蓝...
[期刊论文] 作者：汤琨,顾书林,朱顺明,,
来源：半导体技术 年份：2008
通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并...
[期刊论文] 作者：陈慧,顾书林,朱顺明,,
来源：发光学报 年份：2011
利用金属有机源化学气相沉积（MOCVD）生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire（Al2O3）和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结...
[期刊论文] 作者：陈慧,顾书林,朱顺明,,
来源：半导体技术 年份：2008
采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致...
[期刊论文] 作者：朱光耀,顾书林,朱顺明,,
来源：半导体技术 年份：2008
采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高...
[期刊论文] 作者：单正平,顾书林,朱顺明,
来源：半导体技术 年份：2008
以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所...
[会议论文] 作者：朱光耀;顾书林;朱顺明;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量和表面形貌的影响。结果表明：低温生长时,生长温度的提高...
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