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[期刊论文] 作者：陆建祖,
来源：电大教学 年份：2000
陶渊明是魏晋南北朝最有成就的诗人,他的田园诗文章不群,词采精拔;跌荡昭章,独起众类”,(1)为诗歌创作开辟了一个新的天地。社会政治的剧烈动荡和陶渊明曲折坎坷的人生...
[期刊论文] 作者：陆建祖,
来源：浙江广播电视高等专科学校学报 年份：2000
古典名著《水浒传》中的“招安”问题,长期以来遭到不少非议。笔者认为:在当时特殊的时代背景和特定的历史条件下,宋江接受“招安”,其主观愿望是为了“乎虏、保民、安国”,...
[期刊论文] 作者：陆建祖,
来源：杭州师范学院学报 年份：2000
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[期刊论文] 作者：陆建祖,,
来源：杭州教育学院学报 年份：2000
本文从谈人生 ,写山水与议国事三个方面 ,略论了晚明散文的一个重要特色 ,即真率、自然 ,直抒胸臆 ;并且 ,进一步从当时的哲学与文学思想方面 ,探讨了所以能够如此的缘由...
[期刊论文] 作者：陆建祖,
来源：南京广播电视大学学报 年份：2000
《剪灯新话》是明初文人瞿佑的一部小说集子,分四卷,加上附录共22篇,大多通过烟粉灵怪故事,触及元明易代之际的社会动乱、政治腐朽与人民苦难,并表现青年男女对爱情和婚姻自...
[期刊论文] 作者：陆建祖,
来源：电大教学 年份：1999
【正】 艺术贵在创新,只有不断创新,才能不断提高。李渔对于市俗喜剧的贡献,就在于他扬弃了传统市俗喜剧中粗俗的成分,而使市俗喜剧趋于精、雅,从而提高了市俗喜剧的审美品味...
[期刊论文] 作者：谭满清,陆建祖,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学模型，此模型在给定气流配......
[期刊论文] 作者：谭满清,陆建祖,
来源：光学仪器 年份：1999
以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率ｎ与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学模型，此模型在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（Ｓ９Ｈ４）时所......
[期刊论文] 作者：陆建祖,魏红振,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
以ＳＦ６／Ｎ２混合气体对Ｓｉ反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法：在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络该当建立干法刻蚀仿真模型，可以预测绘定射频功率、总气流......
[期刊论文] 作者：谭满清,陆建祖,李玉鉴,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q...
[期刊论文] 作者：谭满清,陆建祖,李玉鉴,
来源：光学仪器 年份：1999
以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率ｎ 与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学模型，此模型在给定气流配比Ｑ（Ｎ２ ）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时......
[会议论文] 作者：陆建祖;魏红振;李玉鉴;,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
以SF/N混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法：在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型，可以予测给定射频功率、......
[期刊论文] 作者：李玉鉴,谭满清,茅冬生,陆建祖,
来源：半导体学报 年份：1999
用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积镀膜工艺建立了一个介质膜折射率ｎ关于气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）的数学模型，在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（ＳｉＨ４）时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很......
[期刊论文] 作者：徐荣青,陈笑,倪晓武,陆建,祖海程,
来源：南京理工大学学报(自然科学版) 年份：2003
利用纳秒激光在薄铜片上进行多脉冲打孔时 ,出现一种反常现象 ,在 2个值处 ,随着单脉冲能量的提高 ,打 1个孔所需脉冲次数不但没有减少 ,反而增加 ,根据环境气体分解消耗激光...
[会议论文] 作者：廖奇为,林世鸣,胡国新,张春晖,康学军,陆建祖,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：陆建祖,魏红振,李玉鉴,张永刚,林世鸣,余金中,刘忠立,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
以SF6 N2 混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法 :在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型 ,可以予测给定射...
[期刊论文] 作者：刘文楷,林世鸣,武术,朱家廉,高俊华,渠波,陆建祖,廖奇为,邓晖,陈弘达,
来源：半导体学报 年份：2001
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同...
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