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[学位论文] 作者：钟康游,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2013
Si与Si基材料是半导体微电子工业中的主要原料。而半导体材料在制备、加工的过程中不可避免地会引入各种结构缺陷，其中最重要的一种缺陷是位错。一方面，位错的存在将在能带隙中......
[期刊论文] 作者：杨立军,孟庆元,李根,李成祥,钟康游,
来源：人工晶体学报 年份：2006
在Si晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello—Rahman方法施加剪应力，使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的温度和剪应力作用下的运动特性。观察到了位...
[期刊论文] 作者：王超营,孟庆元,李成祥,钟康游,杨志伏,
来源：计算物理 年份：2008
首先使用分子动力学方法（MD）得出了左弯结（LK）和右弯结（RK）在不同温度和剪应力作用下的速度特性和运动过程.然后利用基于紧束缚势（TB）的nudged elastic band（NEB）方法计算LK和RK的迁移......
[期刊论文] 作者：杨立军,孟庆元,李成祥,钟康游,果立成,
来源：半导体学报 年份：2006
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe／Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响，使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错，和导致30°部分位错运动的...
[期刊论文] 作者：杨立军,孟庆元,李根,李成祥,钟康游,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
在S i晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello-Rahm an方法施加剪应力,使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的温度和剪应力作用下的运动特性。观察到了位错速度...
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