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[期刊论文] 作者：于军,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：1995
对电子镇流器的工作原理作了较全面的分析，并从理论上系统地论述了电子镇流器的软激励特性、频率稳定度、输入电流波形的低畸变形、光输出稳定性和预热启动特性。...
[期刊论文] 作者：于军,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：1996
讨论了电子镇流器可靠性设计的有亲原理和方法，并从电路网的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案。......
[期刊论文] 作者：于军,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：1996
阐述了新近研制成功的ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器的电路设计，用无冗余单机随机服务系统描述了电子镇流器电路网络的工作状态。在此基础上，对电子镇流器的有效度进行了计算及分析，并首次给出了......
[期刊论文] 作者：刘刚,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：1998
选用n-，p-和p+三种半导体硅材料作为衬底，通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜；在PS／S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线，形成了M－PS－S二极管结构；在外加直流偏置电压下......
[期刊论文] 作者：刘刚,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：1997
应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅（ＰＳ）薄膜，用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极，设计了两种电极图形，制成二端结构的敏感元件。在不同湿度......
[期刊论文] 作者：张德明,谢基凡,
来源：华中工学院学报 年份：1984
本文利用线性电压扫描法,对MOS电容的c-t曲线进行逐点处理,得到了τ_g-t、s_g-t下的曲线.由τ_g-t的曲线可以方便地找出τ_g-x的分布.这种方法不仅能将s_g与τ_g分离出来,而...
[期刊论文] 作者：马稚尧,谢基凡,等,
来源：青岛大学学报：自然科学版 年份：1990
钝化发射极硅太阳电池（简称为PESC）^[1]，采用浅结密栅结构，以改革蓝光响应，提高转换效率。同时要求硅太阳电池的减反射在短波范围有较好的透射性能。本文对MgF2-Zn双层减反射进行......
[期刊论文] 作者：刘刚,于军,谢基凡,
来源：微电子学 年份：2001
文章应用电化学方法获得了纳米硅微粒材料。通过TEM的分析测算，知其平均粒度在2～5 nm之间。在暗室中，能见其萤光辐射。并在同一溶液中，采用不同电流密度和反应时间，制作了不同的硅......
[会议论文] 作者：郑远开;于军;谢基凡;,
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
射频磁控溅射制备了Ａｇ〈，１００－ｘ〉Ｃｏ〈，ｘ〉薄膜，并在真空下退火，退火温度为２０￣４００℃。在室温下测试了样品的磁滞回线，磁电阻回线。并用Ｘ射线衍射、ＴＥＭ，ＡＦＭ等研究了薄膜的微观结构，分析了颗粒尺寸和晶格常数随......
[期刊论文] 作者：于军,周文利,曹广军,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：1996
论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性．......
[期刊论文] 作者：于军,周文利,曹广军,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：1996
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面......
[期刊论文] 作者：郑远开,李佐宜,于军,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：1999
用磁控射频溅射法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ多层膜；研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Ｃｕ厚度的关系．在适当的Ｃｕ层厚度下（大约为２ｎｍ），制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜．研究表明，在弱磁场下，薄膜......
[期刊论文] 作者：高俊雄,于军,周文利,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：2000
提出了一种新的可应用于晶体管参数提取的全局寻优算法 ,简化了参数提取过程 .在该算法中 ,首次采用了一种新的方差调整方案 ,从而提高了收敛速度和精度 ,对MJE1 30 0 5晶体管进行参数提取与PSPICE模拟 ,模拟结果与器件测试结果符合较好 .......
[期刊论文] 作者：于军,周文利,曹广军,谢基凡,
来源：华中理工大学学报(社会科学版) 年份：1996
比较了ＳｏｌＧｅｌ工艺制备ＰＺＴ薄膜的两种热处理过程成膜情况和对ＰＺＴ／Ｓｉ结构的影响，其中，低温烘烤、快速升温、高温退火的热处理方式有利于钙钛矿相成相．但是ＰＺＴ薄膜完成全过程退火后难以进行图形加工......
[期刊论文] 作者：刘刚,谢基凡,于军,介晓瑞,
来源：华中理工大学学报 年份：1998
选用n-，p-和p+三种半导体硅材料作为衬底，通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜；在PS／S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线，形成了M－PS－S二极管结构；在外加直流偏置电压下......
[期刊论文] 作者：于军,周文利,曹广军,谢基凡,
来源：华中理工大学学报 年份：1996
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．Ferroelectric thin films were prepared on SiO2 / Si substrates b......
[期刊论文] 作者：刘刚,谢基凡,于军,陈萍丽,
来源：华中理工大学学报 年份：1997
应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅（ＰＳ）薄膜，用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极，设计了两种电极图形，制成二端结构的敏感元件．在不同湿度环......
[期刊论文] 作者：刘刚,介晓瑞,谢基凡,陈萍丽,
来源：华中理工大学学报 年份：1996
利用阳极氧化技术制备了多种多孔硅（ＰＳ）样品，测出其结构参数，并摄得相应的ＳＥＭ微观形貌图片．针对多孔硅的结构特点，确立相应的离散分形布朗随机增量（ＤＦＢＩＲ）场模型，应用图像处理方法，求出不同ＰＳ微观图......
[期刊论文] 作者：于军,周文利,赵建洪,谢基凡,黄歆,
来源：半导体学报 年份：1997
采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关......
[期刊论文] 作者：于军,周文利,曹广军,谢基凡,吴正元,
来源：半导体学报 年份：1997
本文运用半导体能带理论探讨了硅衬底上铁电薄膜的异质结效应的物理模型．对用sol－gel工艺制备的PZT／Si结构的极化特性、开关特性和I－V特性的实验研究证实了这种效应．In this pap...
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