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[期刊论文] 作者：许高博,徐秋霞,,
来源：电子器件 年份：2007
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微电子技术发展的必然.但是,被认为最有希望替...
[会议论文] 作者：许高博,韩郑生,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文根据RESURF原理,模拟实现了一种适用于D类音频功放的LDMOS器件,其工艺流程参考中国科学院微电子研究所标准BiCMOS工艺,利用TSUPREM-4软件对其进行了工艺模拟,根据工艺模...
[期刊论文] 作者：许高博,徐秋霞,,
来源：半导体学报 年份：2009
We investigate the thermal stability of HfTaON films prepared by physical vapor deposition using high resolution transmission electronic microscope (HRTEM) and...
[期刊论文] 作者：许高博,徐秋霞,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
This paper presents a method using simple physical vapour deposition to form high-quality hafnium silicon oxyni- tride (HfSiON) on ultrathin SiO 2 buffer layer....
[期刊论文] 作者：陶桂龙,许高博,徐秋霞,,
来源：半导体技术 年份：2017
综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米...
[会议论文] 作者：许高博,汤仙明,韩郑生,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文设计并制造了SOI多晶硅栅控二极管抗ESD电路,采用HBM模型对其进行抗ESD研究,分析了沟道长度、宽度和多指结构对器件抗ESD能力的影响,获得ESD失效电压高达4kV以上的SOI多...
[期刊论文] 作者：陶桂龙, 许高博, 殷华湘, 徐秋霞,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：宋文斌,许高博,曾传滨,韩郑生,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOI MOSFETs，通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多...
[期刊论文] 作者：宋文斌,许高博,郭天雷,韩郑生,,
来源：电子器件 年份：2007
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0....
[期刊论文] 作者：王健健,白华,许高博,李梅,毕津顺,
来源：微电子学 年份：2019
利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜.通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响.实验结...
[期刊论文] 作者：刘瑶光,殷华湘,吴次南,许高博,翟琼华,
来源：传感技术学报 年份：2020
硅漂移探测器(SDD)因能量分辨率高和计数率高广泛应用于X射线的探测分析。阐述了同心圆环结构的圆柱形硅漂移探测器的工作原理,基于该结构采用TCAD仿真其内部电势分布、电场...
[期刊论文] 作者：李治昊,夏志良,许高博,周文犀,霍宗亮,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2020
3D NAND中工艺结构是导致器件失效的重要因素之一,其中,选择性外延生长(SEG)的生长高度也是导致失效的一个重要参数。因此,提出了一种新的关于SEG高度引起器件失效的模型、失...
[期刊论文] 作者：卜建辉, 许高博, 李多力, 蔡小五, 王林飞, 韩郑生,,
来源：半导体技术 年份：2004
提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体...
[期刊论文] 作者：卜建辉, 许高博, 李多力, 蔡小五, 王林飞, 韩郑生, 罗家,
来源：半导体技术 年份：2019
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[期刊论文] 作者：孙朋,傅剑宇,许高博,丁明正,翟琼华,殷华湘,陈大鹏,
来源：光子学报 年份：2021
硅像素传感器上的保护环结构有利于提高传感器的耐高电压性能,为评估保护环结构对硅像素传感器的保护效果,仿真分析了三种保护环结构.通过计算机辅助设计技术对三种保护环结构进行二维建模,利用TACD内置的电学模型对三种保护环结构的I-V特性进行了仿真.研究结果......
[会议论文] 作者：郭天雷,许高博,赵发展,刘刚,李多力,毕津顺,海潮和,韩郑生,姜明哲,张英武,袁国顺,李素杰,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
研制成功了辐照加固的8位PDSOI80C51微控制器(单片机)-J80C51RH,其采用intel MCS-51系列微控制器的内核进行设计,功能完全兼容intel MCS-51系列80C51微控制器。J80C51RH由约...
[会议论文] 作者：郭天雷,姜明哲,张英武,袁国顺,许高博,赵发展,刘刚,李多力,毕津顺,海潮和,韩郑生,李素杰,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
研制成功了辐照加固的8位PDSOI80C51微控制器(单片机)-J80C51RH,其采用intel MCS-51系列微控制器的内核进行设计,功能完全兼容intel MCS-51系列80C51微控制器。J80C51RH由约为11万个MOSFETs组成,采用辐照加固的1.2μm PDSOI CMOS工艺技术制备,其工作频率可达33M......
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