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[期刊论文] 作者：褚立志,,
来源：河北化工 年份：2010
介绍了三塔精馏工艺,论述了三塔精馏的优点及工艺运行控制要点,并提出了改进方法。...
[期刊论文] 作者：褚立志,,
来源：化学工程与装备 年份：2016
当前二甲醚在国内外的生产方法主要有两种,一种是合成气一步法,一种是甲醇法,其中甲醇法又分甲醇气相法和甲醇液相法两种。合成气一步法生产二甲醚的工艺目前尚未成熟,因现有...
[学位论文] 作者：褚立志,,
来源：河北工业大学 年份：2013
本文采用脉冲激光烧蚀技术，结合流体动力学模型和成核区模型，实验研究了环境气压和平行挡板对烧蚀粒子与环境气体原子碰撞、成核、传输等微观过程的影响，分析确定不同气压和挡板......
[期刊论文] 作者：褚立志,于静,李敏贤,
来源：广州化学 年份：2015
以常见的二元羧酸和三元羧酸以及硝酸镧为原料,制备了一系列二元-三元羧酸镧复合热稳定剂产品。通过刚果红试纸法和转矩流变仪法对产品的性能进行了表征,结果表明,己二酸-柠...
[期刊论文] 作者：褚立志,于静,李敏贤,
来源：化学研究与应用 年份：2015
以常见的一元羧酸和二元羧酸以及硝酸镧为原料,探讨了一元-二元羧酸镧的合成条件,制备了一系列一元-二元羧酸镧复合热稳定剂产品。通过刚果红试纸法和转矩流变仪法对产品的性...
[期刊论文] 作者：王英龙,吴转花,褚立志,
来源：原子与分子物理学报 年份：2004
采用基于密度泛函理论基础上的CASTEP软件包,计算了BaZrO3和CaZrO3的能带以及光学性质.计算得到BaZrO3直接带隙和间接带隙分别为3.49 eV和3.23 eV,CaZrO3直接带隙和间接带隙...
[期刊论文] 作者：褚立志, 于静, 李敏贤, 李微,,
来源：化工中间体 年份：2009
介绍了海绵钛和钛白生产原料粗四氯化钛的精制工艺．论述了四种工业化除钒方法的发展过程及其原理和工艺条件，并阐述了各种方法的优、缺点。...
[期刊论文] 作者：邓泽超,马娜,褚立志,王英龙,,
来源：河北大学学报(自然科学版) 年份：2008
采用XeCl准分子脉冲激光，在真空环境中烧蚀单晶Si靶，在Si（111）和石英衬底上沉积生成非晶Si薄膜．在同样的环境下，用激光对非晶Si薄膜进行退火，通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对退火......
[期刊论文] 作者：褚立志,卢丽芳,王英龙,傅广生,,
来源：中国激光 年份：2007
提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光器,固定激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,激光...
[期刊论文] 作者：褚立志,卢丽芳,王英龙,傅广生,,
来源：物理学报 年份：2007
为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、与其轴线平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底,沉...
[期刊论文] 作者：王英龙,宗煜,褚立志,邓泽超,丁学成,,
来源：河北大学学报(自然科学版) 年份：2014
在10 Pa的氩气环境下采用了脉冲激光烧蚀技术（PLA）,通过引入散射电场沉积制备了纳米Si晶粒薄膜.X线衍射谱（XRD）和Raman谱测量均证实了在薄膜中已经形成了纳米Si晶粒;利用扫描电子...
[期刊论文] 作者：邓泽超,胡自强,丁学成,褚立志,王英龙,,
来源：河北大学学报(自然科学版) 年份：2013
在室温和真空环境中,引入外加直流电场,通过脉冲激光烧蚀单晶硅靶,在与电极板和羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列薄膜.扫描电子显微镜（SEM）、拉曼（Raman）散射谱和X线衍射（XRD......
[期刊论文] 作者：王英龙,刘林,梁伟华,丁学成,褚立志,
来源：河北大学学报：自然科学版 年份：2012
采用Landau-Devonshire自由能理论和晶格模型,研究了PbZr1-xTixO3（PZT）/SrTiO3（STO）复合薄膜中PZT的钛（Ti）含量（x=0.5,0.6,0.8,1.0）对铁电隧道结极化强度、总电势、电导和隧穿电阻等...
[期刊论文] 作者：王英龙,张恒生,褚立志,丁学成,傅广生,,
来源：材料工程 年份：2008
采用脉冲激光烧蚀装置，在不同环境气体下，沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜。利用扫描电子显微镜（SEM）观察样品的表面形貌，并对晶粒尺寸进行统计分析．发现不同环境气体下，纳米Si晶粒......
[期刊论文] 作者：王英龙,陈超,丁学成,褚立志,邓泽超,,
来源：河北大学学报(自然科学版) 年份：2011
为了研究外加电场对脉冲激光沉积纳米Si晶粒的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在10Pa氩气环境下,调整外加电压的强度,沉积制备了一系列Si薄膜.X线衍射（XRD）谱仪...
[期刊论文] 作者：邓泽超,罗青山,丁学成,褚立志,王英龙,,
来源：河北大学学报(自然科学版) 年份：2012
在室温条件下保持Ar环境气体压强不变,采用脉冲激光沉积（PLD）技术,通过改变激光能量密度,在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一系列纳米硅晶薄膜,利用扫描电子显微镜（SEM）和......
[期刊论文] 作者：王英龙,周阳,褚立志,傅广生,彭英才,
来源：物理学报 年份：2005
采用XeCl脉冲准分子激光器 ,烧蚀高阻抗单晶Si靶 ,在 1— 5 0 0Pa的Ar气环境下沉积制备了纳米Si薄膜 .x射线衍射谱测量证实 ,纳米Si晶粒已经形成 .利用扫描电子显微镜观测了...
[期刊论文] 作者：周阳,褚立志,王英龙,彭英才,傅广生,
来源：中国激光 年份：2007
在2×10-4 Pa真空下，采用XeCl准分子激光器(波长308 nm)，调整激光单脉冲能量密度为3 J/cm2，交替烧蚀高纯单晶硅(Si)靶和铒(Er)靶，通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺Er浓度，分别在Si衬底和石英衬底上制备了掺Er非晶Si薄膜。在N2气保护下经高温热退火实现纳米......
[期刊论文] 作者：周阳,刘云山,褚立志,王英龙,彭英才,傅广生,,
来源：稀有金属 年份：2006
采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10^-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900～1200 ℃热退火...
[期刊论文] 作者：秦爱丽,褚立志,邓泽超,丁学成,王英龙,
来源：人工晶体学报 年份：2017
文中利用蒙特卡洛方法，引入成核生长模型，研究了纳米硅晶粒成核生长过程。结合宏观阻力模型，计算了纳米硅成核和生长所对应的过饱和度范围。结果显示，衬底的二次溅射，造成成核次数......
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