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[学位论文] 作者：蔡道林,,
来源：电子科技大学 年份：2008
铁电随机存储器（FRAM）的工作原理是利用铁电薄膜材料剩余极化双稳态的特点,它具有非易失性、高速度、高密度、抗辐射等优点,被认为半导体存储器的终结者。ABO3型Pb(Zr1-xTix)O3...
[期刊论文] 作者：蔡道林,
来源：现代盐化工 年份：2020
在既定养生工艺下,研究球铁管高温蒸汽养生时仓内堆放高度对环境温度的影响。发现高度越低,蒸养保温阶段的环境温度越低,管垛底层位置的环境温度与目标温度差可达10 ℃;保温...
[学位论文] 作者：蔡道林,
来源： 年份：2003
CdTe／CdS太阳电池是公认的高效、廉价、稳定的薄膜太阳电池，而且易于大规模生产，因而成为近来光伏研究的热点。然而p-CdTe与背电极的欧姆接触是制备高效CdTe电池的关键之一。本论文目的在于研究ZnTe(ZnTe：Cu)多晶薄膜的制备和性质，并把ZnTe／ZnTe：Cu多晶薄膜作为复合背......
[期刊论文] 作者：蔡道林,李平,翟亚红,张树人,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用磁控溅射法制备了（111）向择优的Pb（Zr0.52Tio48）O3（PZT）铁电薄膜，并结合半导体集成技术制备了金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的n沟道铁电场效应晶体管．研究了铁电场效......
[期刊论文] 作者：杨富,蔡道林,南景宇,韩冰,
来源：河北北方学院学报：自然科学版 年份：2009
目的研究金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能．方法制备金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的p沟道铁电场效应晶体管并对其性能进行......
[会议论文] 作者：蔡道林,李平,翟亚红,张树人,
来源：第十二届全国青年通信学术会议 年份：2007
采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管...
[期刊论文] 作者：朱飞,张林进,蔡道林,叶旭初,,
来源：矿山机械 年份：2011
采用颗粒离散元法模拟了卧式行星球磨机筒壁上的衬板对磨筒钢球运动规律的影响,包含衬板高度以及衬板数量的影响。研究结果表明:磨筒内钢球的平均接触力与钢球的运动状态存在...
[期刊论文] 作者：朱飞, 张林进, 蔡道林, 叶旭初,,
来源：材料工程 年份：2012
采用颗粒离散元法模拟得到卧式行星磨磨筒内钢球平均接触力大小以及随填球率、钢球直径、磨筒半径和公转半径的变化规律，并与实验结果进行了比较分析。结果表明：行星磨的粉磨速......
[期刊论文] 作者：蔡道林,张林进,朱飞,叶旭初,
来源：中国粉体技术 年份：2011
采用自行设计的卧式行星球磨机，研究对板厚度、粉磨时间、公转转速等因素对水泥熟料粉磨的影响。结果表明：3mm厚度衬板对实验所用卧式行星球磨机粉磨水泥熟料最有利；使用3mm厚度......
[期刊论文] 作者：蔡道林,张林进,朱飞,叶旭初,
来源：中国粉体技术 年份：2011
采用自行设计的卧式行星球磨机，在公转转速为300r／rain、自转与公转转速比为2．5的条件下，研究装球率、料球体积比、填充率对水泥熟料粉磨的影响。结果表明：成品粉体产率随装球率的......
[会议论文] 作者：蔡道林,张林进,朱飞,叶旭初,
来源：江苏省颗粒学会2010年学术年会暨江苏省应用化学、生物颗粒学与粉体领域学术研讨会 年份：2010
本文采用自行设计的卧式行星球磨机研究了衬板厚度、粉磨时间、公转转速等因素对水泥熟料粉磨的影响。结果表明：3mm厚度衬板对实验所用卧式行星球磨机粉磨水泥熟料最有利；使用3......
[会议论文] 作者：朱飞,张林进,蔡道林,叶旭初,
来源：江苏省颗粒学会2010年学术年会暨江苏省应用化学、生物颗粒学与粉体领域学术研讨会 年份：2010
本文采用颗粒离散元法模拟了卧式行星球磨机筒壁上的衬板对磨筒钢球运动规律的影响，包含衬板尺度以及衬板数量对它的影响。研究结果表明：磨筒内钢球的平均接触力与磨筒内钢球的......
[期刊论文] 作者：胡滨,阮爱武,李平,翟亚红,蔡道林,
来源：2006上海电子互联技术及材料国际论坛 年份：2006
在微传感器系统中,采用多层耐熔金属硅化物互连工艺,克服微传感器与IC芯片单片集成时,铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温,而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工,降低了制造成本.经流片验证,此互连结构具有台阶覆盖能力强、热稳定性好、电阻率......
[期刊论文] 作者：胡佳俊,陈后鹏,王倩,蔡道林,宋志棠,,
来源：微电子学 年份：2012
分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹...
[期刊论文] 作者：魏宏阳,蔡道林,陈一峰,霍如如,宋志棠,,
来源：电子元件与材料 年份：2015
从保持力失效时间的角度出发，对相变存储器实施了保持力加速寿命实验。实验过程中发现，在比较高的温度下，随着测试时间的增长，存储器单元的RESET阻值会逐渐变小。这个现象符合Arr......
[期刊论文] 作者：杨富,南景宇,蔡道林,刘伟东,孟旭东,冯浩,,
来源：激光与红外 年份：2006
用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe：Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构，刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构，高度（111）择优，重掺Cu的为立方和六方混合相。室温时薄膜的形貌和光能......
[期刊论文] 作者：富聪,宋志棠,陈后鹏,蔡道林,王倩,宏潇,
来源：电子科技大学学报 年份：2012
针对相变存储器编程操作对电荷泵低输出纹波与高瞬态响应速度的要求,提出了一种超低输出电压纹波的开关电容型电荷泵。相比于传统开关电容型电荷泵,在充电阶段,由电压比较器...
[期刊论文] 作者：胡佳俊,陈后鹏,蔡道林,宋志棠,周桂华,,
来源：微电子学 年份：2012
根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源...
[期刊论文] 作者：王兆敏,蔡道林,陈后鹏,宋志棠,傅忠谦,,
来源：微电子学 年份：2012
基于相变存储器,对无源超高频电子标签模拟前端四个关键电路进行低功耗设计。整流电路采用9级电荷泵,结合储能电容和过压保护电路,得到了很好的整流效果。上电复位电路在箝位...
[期刊论文] 作者：王月青,陈小刚,蔡道林,宋志棠,李喜,陈一峰,,
来源：半导体光电 年份：2015
基于中科院上海微系统研究所自主研发的相变存储器芯片,设计并实现了国内首个以相变存储器为存储介质的SD卡系统。本系统由多接口SoC芯片、6.375Mbits相变存储器芯片以及外围...
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