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[会议论文] 作者：蔡琪玉,沈波,
来源：第三届全国超导薄膜和超导器件学术会议 年份：1997
该文基于他们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数。对高温超导场效应晶体管的低频电流－电压特性进行了数值模拟。分别对推广的二流体模型中正常电流和超......
[期刊论文] 作者：蒋建飞,蔡琪玉,
来源：自然杂志 年份：2001
近 1 0年来 ,纳米科学与技术学 (纳米学 )这个科学术语及其内涵引起了世人的普遍关注 ,各种海阔天空的议论充满着多种报刊杂志 ,其来势不亚于 2 0世纪 80年代末的全球高温超...
[期刊论文] 作者：蒋建飞,蔡琪玉,
来源：低温与超导 年份：1997
对高温铜氧化物超导体电场效应研究中所进行的一些基础工作进行了评述。它包括利用ＴＨＣＯＳｓ有利的物性，如高介电常数的栅绝缘膜，金属－绝缘体一超导体结构的电容一电压特性，功函数，输运性质......
[期刊论文] 作者：蒋建飞,蔡琪玉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
论述了电子学的前沿－纳米电子学的学科涵义，发展动力，研究进展，学科分支，研究内容，学科发展的重要意义。...
[期刊论文] 作者：汪师俊,蔡琪玉,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性....
[期刊论文] 作者：汤玉生,蔡琪玉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
由高Ｔｃ超导材料制备的Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ磁通流晶体管（ＪＦＦＴ）的控制特性中呈出了很强的非对称性，笔者分析了ＪＦＦＴ的控制场分布，并在电流－相位线性近似条件下，获得了这种非对称控制特性的挖解析描述，解析分析结果揭......
[期刊论文] 作者：汤玉生,蔡琪玉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
对超导磁通流晶体管的结构，原理，特性及与高Ｔｃ材料的适应性和应用状况作了简要的评述。...
[期刊论文] 作者：蔡琪玉,蒋建飞,
来源：电子学报 年份：1999
本文基于我们建立的超声场效应器件的统一信号理论，引进了动态导纳参数。对高温超导场效应晶体管的低频电流－电压特性进行了数值模拟。分别对推广的二流体模拟中正常电流和超导......
[期刊论文] 作者：蒋建飞,蔡琪玉,
来源：电子学报 年份：1996
本文基于超导场效应的小信号传输线模型电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻，频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件......
[期刊论文] 作者：蒋建飞,蔡琪玉,
来源：电子学报 年份：1996
本文提出了超导场效应器件的统一小信号模模型。建立这个模型的出发点是其于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道拟似，得到了既适......
[会议论文] 作者：蒋建飞,蔡琪玉,
来源：中国电子学会第六届学术年会 年份：1996
该文论述了电子学的前沿——纳米电子学的学科涵义、已经取得的进展、发展背景、学科分支、研究内容、相关学科和对２１世纪信息科学技术和人类生活的影响。...
[会议论文] 作者：汤玉生,蔡琪玉,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[会议论文] 作者：蒋建飞,蔡琪玉,
来源：全国超导薄膜和超电子学学术会议 年份：1994
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[会议论文] 作者：蒋建飞,蔡琪玉,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：郭靖,蒋建飞,蔡琪玉,
来源：上海交通大学学报 年份：2000
基于背景电荷不敏感单电子晶体管/场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方...
[期刊论文] 作者：郭靖,蒋建飞,蔡琪玉,
来源：电子学报 年份：2000
本文首先给出了SOI上纳米金属 氧化物 半导体场效应晶体管 (NANO MOSFET)的结构 ,它是一种非传统MOSFET .NANO MOSFET源漏区采用金属 ,沟道采用本征硅 ,该结构避免了传统MOS...
[会议论文] 作者：郭靖,蒋建飞,蔡琪玉,
来源：第四届全国微米/纳米技术学术会议 年份：2000
本文论述了我们移植与开发的蒙德卡罗法单电子器件与电路模拟程序的编程算法、使用方法、特点以及模拟实例.结果表明,这种模拟器具有操作方便、模拟速度快的特点.可以用于中...
[期刊论文] 作者：吕明,蒋建飞,蔡琪玉,
来源：半导体学报 年份：2004
提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型．该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便，并提高了单电子晶体管特性......
[期刊论文] 作者：周松,蒋建飞,蔡琪玉,
来源：电子学报 年份：2005
本文用非平衡Green函数方法和模式表象技术对弹道MOSFET中的栅隧穿电流进行了研究.为了简化计算,我们把栅分解成一系列的小栅并用相应的自能项来概括它们.计算结果表明栅电势...
[期刊论文] 作者：杨涛,蒋建飞,蔡琪玉,
来源：上海交通大学学报 年份：2002
基于单电子系统半径经典模型，分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性，得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点，通过时域特性分析，指出了时延参数τ＝C∑Rg，并用Monte-Carlo法对其......
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