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[学位论文] 作者：蔡怀方,,
来源：深圳大学 年份：2004
GeP3具有很强的层间量子束缚效应,单层和两层是间接带隙半导体,三层以上呈金属性,同时两层GeP3还具有很高的载流子迁移率,在锂电池方面具有很好的应用前景。本文用基于密度泛...
[期刊论文] 作者：万浪辉,蔡怀方,卫亚东,
来源：现代应用物理 年份：2020
为避免2维材料与金属导线之间的接触电阻,构建了以呈金属特性的3层GeP3为导线和以呈半导体特性的单层GeP3为中心散射区的3-1-3 GeP3纳米器件,并用密度泛函理论和非平衡格林函...
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