搜索筛选:
搜索耗时0.5698秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 29 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：董承远,
来源：上海交通大学 年份：2003
该文由两大部分组成.首先,分别对二维非晶膜和非晶带合金的巨磁阻抗效应进行了理论建模和模拟计算,目的在于深化对巨磁阻抗效应基本理论问题的认识.同时,采用Nb合金化设计了...
[期刊论文] 作者：董承远,蒋德红,
来源：中国误诊学杂志 年份：2008
男，50岁。农民。原有冠心病史5a。因胸闷、心悸、乏力1d入院。查体：T：37℃，P115次／min，R22次／min，BP130／85mmHg。神志清，精神萎靡，面色灰暗，双肺呼吸音清，未闻及干、湿性啰音，HR125次／min，律......
[期刊论文] 作者：董承远,陈世朴,
来源：磁性材料及器件 年份：2002
巨磁阻抗软磁薄膜因为在制备上与集成电路工艺具有兼容性而在传感器等工程领域具有广阔的应用前景.综述了单层膜的研究现状,着重讨论了横向各向异性、驱动电流和外加磁场方向...
[期刊论文] 作者：董承远,陈世朴,
来源：磁性材料及器件 年份：2002
巨磁阻抗多层膜相比单层膜具有不可比拟的优越性,它可以在很低的频率范围获得非常明显的巨磁阻抗效应.综述了多层膜GMI效应的研究现状,着重探讨了材料、膜尺寸及绝缘层隔离对...
[期刊论文] 作者：董承远,蒋德红,,
来源：中国误诊学杂志 年份：2007
1999-2005年，我们采用中西药结合治疗溃疡性结肠炎收到良好效果，现报告如下。...
[期刊论文] 作者：董承远,蒋德红,
来源：中国误诊学杂志 年份：2007
1 病历摘要 男，47岁。因左下腹痛伴发热、腹泻6h于2007-01-07收入我院消化内科，诊断为急性胃肠炎。经输液及抗生素治疗2d腹泻缓解而腹痛加重。2007-01-09查体见T39℃，脐左侧明显...
[期刊论文] 作者：董承远,蒋德红,
来源：中国误诊学杂志 年份：2007
食管裂孔疝误诊为心绞痛1例分析如下。...
[期刊论文] 作者：董承远,蒋德红,
来源：中国误诊学杂志 年份：2007
1病历摘要男，36岁。因间断黏液便、肛周胀痛伴消瘦、乏力3d于2007-01-16按溃疡性结肠炎收入我院消化内科。入院查体：T36.8℃，消瘦，心肺无异常，腹平、软，无压痛，肝脾肋下未触及，未触及......
[期刊论文] 作者：吴崎,许玲,董承远,,
来源：液晶与显示 年份：2016
为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了......
[期刊论文] 作者：董承远,黄梅,陈秀敏,,
来源：中华医院感染学杂志 年份：2014
目的探讨急性胆囊炎发生感染的危险因素并进行相关性分析,以降低急性胆囊炎感染的发生率。方法回顾性分析2010年12月-2013年1月收治的246例急性胆囊炎患者临床资料,观察患者...
[期刊论文] 作者：张丽,许玲,董承远,,
来源：发光学报 年份：2014
为解决非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其阈值电压漂移而导致的OLED电流衰减的问题,本文研究了基于a-IGZO TFT的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路的阈值电压补偿问...
[期刊论文] 作者：许玲,吴崎,董承远,,
来源：发光学报 年份：2016
非晶铟钨氧（a-IWO）薄膜晶体管（TFT）具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机......
[期刊论文] 作者：冯国锋,章雯,董承远,
来源：液晶与显示 年份：2021
为了探究环境湿度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的负偏压光照(NBIS)稳定性的影响,本文使用非密闭腔室进行不同波长光照射下以及不同相对湿度下的TFT负偏压测试。介绍...
[期刊论文] 作者：蒋德红,董承远,刘扬,,
来源：中国误诊学杂志 年份：2008
目的:探讨经皮黄疸仪在婴儿黄疸中的应用。方法:对52例黄疸儿均血测胆红素和经皮测胆红素。结果:通过血测胆红素与经皮测胆红素比较,通过t检验,得出P>0.05,两者差异无显著性...
[期刊论文] 作者：贾田颖,詹润泽,董承远,,
来源：发光学报 年份：2013
非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)有望在有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路中得到实际应用,但其电压偏置效应仍会引起电路特性的不稳定。本文利用实验室制备的a-I...
[期刊论文] 作者：张磊, 刘国超, 董承远,,
来源：发光学报 年份：2018
针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管（a-IGZOTFT）的钼/铜源漏电极开展研究。实验证明,单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度较小、电阻率较大,而单层Cu源漏电极与栅绝缘...
[期刊论文] 作者：徐宏霞, 邹忠飞, 董承远,,
来源：液晶与显示 年份：2018
在传统集成栅驱动电路中采用非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)后会造成信赖性的降低,经过分析确定原因为驱动TFT阈值电压漂移。本文提出了一种改进的集成栅驱动电路,通过对...
[期刊论文] 作者：詹润泽,谢汉萍,董承远,,
来源：液晶与显示 年份：2013
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采...
[期刊论文] 作者：孙明剑, 董承远, 林锡勳,,
来源：液晶与显示 年份：2019
为了降低薄膜晶体管的寄生电容,一种新型平坦化材料被引入。单独采用反应离子刻蚀(RIE)或增强电容耦合等离子刻蚀(ECCP)模式刻蚀该平坦化层均无法获得满意的工艺效果。为此,...
[期刊论文] 作者：董承远,陈世朴,徐祖耀,
来源：真空科学与技术 年份：2002
建立了比较完善的二维铁磁体在横向巨磁阻抗(GMI)效应中的磁化模型,采用将静态磁化过程和动态磁化过程分开计算的方法,同时考虑畴壁移动和磁畴转动两种磁化机制的影响,推导出...
相关搜索：
