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[学位论文] 作者：茅艳琳,,
来源：江苏大学 年份：2020
氮化铝（AlN）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜材料,广泛应用于制备高亮度LED、紫外探测器和高频大功率器件。金属有机气相化学沉积（MOCVD）是生长AlN最常用的方法。在AlN的MOC......
[期刊论文] 作者：茅艳琳,左然,
来源：人工晶体学报 年份：2020
针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、数量以及隔...
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