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[期刊论文] 作者：,
来源：高科技与产业化 年份：2006
光电专家，范广涵，教授。1968年毕业于哈尔滨军事工程学院原子工程系。从1970年在中科院长春物理所开始一直从事宽禁带半导体光电子材料和器件的研究。现任华南师范大学光电子材...
[期刊论文] 作者：马也,,
来源：科技成果管理与研究 年份：2011
华南师范大学范广涵教授是电子材料与技术专家,是我国最先从事金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)技术研究的专家之一.现任华南师范大学光电子材料与技术研究所所长,A岗教授、...
[会议论文] 作者：范广涵,,
来源： 年份：2010
氮化物半导体是继硅、锗和砷化镓、磷化镓后的第三代半导体材料,成为国内外研究的热点。特别是,由于氮化镓系蓝光LED技术突破推动了半导体照明产业的迅猛发展。但是对氮...
[会议论文] 作者：范广涵,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
该文研究了MOCVD法ZnSe∶N单晶薄膜的生长掺杂条件，及其发射光谱，电学参数等光电特性随生长掺杂条件的变化。证实氮在ZnSe中形成激活能～110mev的浅受主能级。这是为获得P型硒化...
[期刊论文] 作者：章勇,范广涵,,
来源：光电子·激光 年份：2006
研制了一种基于ITO／PEDOT／P—PPV／MEH—PPV／PFO／Ba／Al的多层结构器件，实现MEH—PPV发光峰的窄化和红移。该器件使MEH—PPV发射峰的半高宽（FWHM）由纯MEH—PPV单层的91nm减小到32nm，发光......
[期刊论文] 作者：张涛,范广涵,,
来源：实验技术与管理 年份：2009
从建设LED（light emitting diode,发光二级管）研发实验室的实践出发,总结了华南师范大学以产学研相结合建设LED研发实验室的思路、目标、管理体制、运行机制与取得的成效。...
[期刊论文] 作者：廖清华,范广涵,
来源：半导体学报 年份：1998
我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数。...
[期刊论文] 作者：DONG Shao-guang,范广涵,
来源：山东大学学报（工学版） 年份：2004
研究表明,In1-xGax N合金材料的能隙能连续地从0.7eV改变到3.4eV,使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系.研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子(2Mev)照射比当...
[会议论文] 作者：李军,范广涵,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制,通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟,讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响,介...
[期刊论文] 作者：范广涵,J.I.Davies,J.O.Williams,
来源：发光学报 年份：1986
本文研究了常压MOCVD法制备宽禁带材料ZnSe的生长机制。通过经验公式和烟雾实验,从理论上和实验上分析了反应室的气流状态。观测了滞流层厚度及生长速率与位置、气流速度及衬...
[期刊论文] 作者：范广涵,胡光,
来源：发光与显示 年份：1983
本文评述了金属有机化合物化学汽相淀积(MO-CVD)法的原理、特点及应用。着重讨论了Ⅱ-Ⅵ族材料的MO-CVD法的制备。This paper reviews the principles, characteristics an...
[期刊论文] 作者：舒雅,,
来源：海峡科技与产业 年份：2012
范教授是国内最先从事氮化镓蓝色LED发光材料研究和MOCVD技术研究的光电子专家。早在1972年，他就开始以氯化物法在蓝宝石衬底上!仁长GaN基蓝光材料和器件，积累了光电子材料与器...
[期刊论文] 作者：文尚胜, 范广涵,,
来源：物理实验 年份：2001
设计与制作了一种压缩空气管路系统 .该系统简易、实用 ,适用于替代昂贵的高压瓶装 N2 ,充当电动控制的气动开关的气源...
[期刊论文] 作者：董少光,范广涵,,
来源：太阳能学报 年份：2008
用局部旋转密度近似的方法研究GaN材料的电学性质与光学性质，用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子，其原子浓度为1．56％。这种材料用孤立和部分填充的中间带表征，是高效太阳电池的候......
[期刊论文] 作者：文尚胜,范广涵,
来源：华南师范大学学报：自然科学版 年份：2000
ＩｎＧａＡｌＰ双异质结ＬＥＤ结构设计的目的在于减少器件的光，电，热损耗。本文分析各层成分，层厚度，掺杂浓度以及有关的辅助技术，例如厚电流扩展层，电流隔离层，布拉格反射层，金属电镀反射层，透明衬底等对......
[期刊论文] 作者：董少光,范广涵,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2008
分析了掺Cr的GaN半导体材料作为太阳能电池材料增加转换效率的可行性.采用局部旋转密度近似的计算方法研究GaN材料中间带的电学性质,用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子,其...
[期刊论文] 作者：陈贵楚,范广涵,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2008
通过在量子阱激光器中的分别限制结构层引入4种不同的渐变方式，即线性渐变、抛物线渐变、扩散渐变以及高斯渐变，利用电流连续方程、泊松方程以及边界条件进行数值计算，得到了在......
[期刊论文] 作者：关郑平,范广涵,
来源：稀有金属 年份：1994
利用常压ＭＯＣＶＤ系统在透明衬底ＣａＦ２上生长了ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格，研究了低密度激发下该结构在不同温度下的光学性质，对光谱中出现的多个发光体进行了分析。...
[期刊论文] 作者：范广涵,关郑平,
来源：人工晶体学报 年份：1990
本文首次报导以常压 MOCVD 法,用二甲基锌、硒化氢、硫化氢为源,在砷化镓衬底上外延生长 ZnSe/ZnS_XSe_(1-X) 应变层超晶格结构。讨论了气相组分对外延层组分的影响。用 X 射...
[会议论文] 作者：陈肇飞, 范广涵,,
来源： 年份：2011
设计了3种LED线性阵列和高反射率圆柱面相结合的均匀照明系统。通过圆柱面对光线的发散作用,能得到更大范围的照明区域,调整圆柱底面半径可提高目标平面上的照度均匀性。利用...
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