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[学位论文] 作者：苦史伟,,
来源： 年份：2012
薄膜硅太阳电池单片内部通常是由许多小的子电池片串联构成,单片内部串联是通过划线步骤和膜层沉积步骤交替进行而得到。通常需要三个划线步骤：即所谓的P1、P2和P3划线来形成...
[期刊论文] 作者：安静,孙铁囤,刘志刚,汪建强,苦史伟,,
来源：太阳能学报 年份：2008
研究了硅片在富硝酸的HF/HNO3/H2O体系中的腐蚀规律。随着腐蚀反应的进行,反应分5个阶段,在开始的5min内硅片腐蚀量较大,然后反应速度经历了下降、上升、下降再迅速下降的过...
[会议论文] 作者：安静,孙铁囤,刘志刚,汪建强,苦史伟,
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
HF/HNO3/H2O体系在多晶硅太阳能电池制备中占有重要的地位.以前对于硅片在HF/HNO3/H2O体系中的反应已经做了大量的研究.本文测量了富硝酸体系中不同的时刻的腐蚀速度,腐蚀溶液的温度和溶液中的氟离子浓度,从而对腐蚀反应的过程进行了相应的分析.实验结果表明腐......
[期刊论文] 作者：苦史伟,孙铁囤,刘志刚,汪建强,安静,叶庆好,
来源：中国建设动态：阳光能源 年份：2006
背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF—HNO3体系，没有表面保护。用扫描电镜（SEM）观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的......
[会议论文] 作者：苦史伟,孙铁囤,刘志刚,汪建强,安静,叶庆好,
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
背腐蚀可以用来取代常规的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的PN结分开.本文中背腐蚀使用了HF/HNO3体系,正面没有使用掩膜.用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效应IQE.用背腐蚀代替等离子刻蚀的晶体硅太......
[期刊论文] 作者：刘志刚,孙铁囤,苦史伟,罗培青,姜维,徐秀琴,崔容强,
来源：太阳能学报 年份：2007
采用正面无保护的背腐蚀方法分离p-n结，用SEM图观察了背腐蚀后硅片表面形貌的变化，对背腐蚀与刻边分离p-n结样品的光生电动势进行了比较，用能带理论对其差别做了深入的解释。...
[会议论文] 作者：刘志刚,孙铁囤,安静,汪建强,苦史伟,徐秀琴,崔容强,
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
氢氟酸(HF)/硝酸(HNO3)/水(H2O)体系对硅片的腐蚀非常复杂,腐蚀机理与酸液的配比有关.影响酸液腐蚀硅片的因素有酸液比例、溶液温度、稀释剂与助剂的添加、硅片表面状况、是否加搅拌等.通过改变反应液比例,控制反应液温度,添加合适稀释剂,加一定搅拌等方法可有......
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