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[学位论文] 作者：胡炜玄,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2012
硅基光电子学融合了光子技术和微电子技术，在光通信、光互连等领域有重要的应用前景，并已取得了一系列重大进展。高效发光器件是硅基光电子学的核心环节，也是该领域目前唯一没有......
[会议论文] 作者：胡炜玄,成步文,苏少坚,王启明,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
硅同质外延在纯硅器件制备以及硅基异质结构材料生长中都有重要应用。发现生长温度对Si外延膜的表面形貌影响很大，因此深入理解其生长机理和表面形成的过程有重要意义。利用超高真空化学气相淀积方法，采用高纯Si2H6为气源，在Si(100)衬底上同质外延生长Si薄膜，生长温......
Formation of rippled surface morphology during Si/Si(100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapou
[期刊论文] 作者：胡炜玄,成步文,薛春来,苏少坚,王启明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The Si epitaxial films are grown on Si (100) substrates using pure Si 2 H 6 as a gas source using ultrahigh vacuum chemical vapour deposition technology.The val...
[会议论文] 作者：苏少坚,汪巍,胡炜玄,张广泽,成步文,王启明,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
使用高质量的Ge薄膜作为缓冲层，在Si(001)衬底上分子束外延生长出了晶体质量很好的、没有发生Sn表面分凝的Gel-xSnx(x=0.025、0.052和0.078)合金薄膜。Sn含量比较低时(～2.5％)，Gel...
[期刊论文] 作者：苏少坚,汪巍,胡炜玄,张广泽,薛春来,左玉华,成步文,王启明,,
来源：材料导报 年份：2010
Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料，具有广阔的应用前号，但是其生长存在许多困难，尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝，但是所生长的材料的热稳定......
[会议论文] 作者：刘智,胡炜玄,李冲,李亚明,薛春来,李传波,左玉华,成步文,王启明,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：苏少坚,汪巍,张广泽,胡炜玄,白安琪,薛春来,左玉华,成步文,王启明,,
来源：物理学报 年份：2011
使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn...
[期刊论文] 作者：胡炜玄,成步文,薛春来,薛海韵,苏少坚,白安琪,罗丽萍,俞育德,王启明,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2010
目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在At present, each photonics unit required for the integrat...
[期刊论文] 作者：白安琪,胡迪,丁武昌,苏少坚,胡炜玄,薛春来,樊中朝,成步文,俞育德,王启明,,
来源：物理学报 年份：2009
用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形...
[会议论文] 作者：成步文,王启明,薛春来,薛海韵,胡炜玄,汪巍,苏少坚,张广泽,罗丽萍,左玉华,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料，它既是硅基高迁移率材料，同时也是重要的硅基光子学器件用材料，在硅基光电集成中具有重要的应用前景。本文将介绍硅基Ge材料的外延生长......
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