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[学位论文] 作者：胡夏融,,
来源： 年份：2013
SOI（Silicon On Insulator）高压集成电路因其高速、低漏电、易隔离、抗辐照等优势得到了广泛的应用，并已成为功率集成电路（Power Integrated Circuit, PIC）重要的发展方向。作为SO...
[期刊论文] 作者：胡夏融,,
来源：小作家选刊 年份：2002
恐怕当年为强体健身而发明现代足球的英国人,怎么也不会想到,现在足球所承载的意义已经远远超出了体育的范围了。不能说,足球就与国家荣誉、民族尊严没有一点关系。记得曾看...
[期刊论文] 作者：宋庆文, 胡夏融, 冯灏,,
来源：微电子学 年份：2015
研究了P埋层深度对体硅Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移...
[期刊论文] 作者：胡夏融, 刘伦才, 黄文刚,,
来源：微电子学 年份：2009
提出了一种简易的正弦信号发生器结构,电路前级为一个频率稳定的张弛振荡器,后级为一个三角-正弦信号转换器,利用一种新颖的两级温度系数互补原理,获得了不随温度变化的稳定...
[期刊论文] 作者：王维博,王海滨,胡夏融,郭奕,李滔,,
来源：教育现代化 年份：2018
根据“卓越工程师教育培养计划”的要求,本文分析了当前“通信原理”教学中的问题,提出了相应的教学改革方案.从教学内容和实践教学等方面对课程的教学方法进行改进,让学生牢...
[期刊论文] 作者：胡夏融,张波,罗小蓉,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2012
The design method for a high-voltage SOI trench LDMOS for various trench permittivities,widths and depths is introduced.A universal method for efficient design...
[期刊论文] 作者：胡夏融,王维博,郭弈,彭朗,王海滨,,
来源：教育现代化 年份：2018
针对《电子测量原理及应用》课程中,大量涉及到集成电路基本知识及相关理论,提出了将集成电路技术引入到电子测量课程教学改革中的基本构想.教师将集成电路技术和电子测量的...
[期刊论文] 作者：彭朗,胡夏融,王海滨,李滔,王维博,,
来源：教育现代化 年份：2018
“三网融合”的大背景让数据与计算机通信这门课成为了大学本科生的必修课之一.基于本课程数学公式少、文字描述多的特点,教师可以结合现代通信方式比如“微助教”实现更多的...
[期刊论文] 作者：周坤,罗小蓉,范远航,罗尹春,胡夏融,张波,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
A novel low specific on-resistance(R on,sp) silicon-on-insulator(SOI) p-channel lateral double-diffused metal-oxide semiconductor(pLDMOS) compatible with high v...
[期刊论文] 作者：胡夏融,张波,罗小蓉,姚国亮,陈曦,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2011
A novel triple RESURF(T-resurf) SOI LDMOS structure is proposed.This structure has a P-type buried layer.Firstly,the depletion layer can extend on both sides of...
[期刊论文] 作者：胡夏融,张波,罗小蓉,王元刚,雷天飞,李肇基,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
A new analytical model for the surface electric field distribution and breakdown voltage of the silicon on insulator (SOI) trench lateral double-diffused metal-...
[期刊论文] 作者：蒋永恒,罗小蓉,李燕妃,王沛,范叶,周坤,王琦,胡夏融,张波,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
A novel CMOS-compatible thin film SOI LDMOS with a novel body contact structure is proposed. It has a Si window and a P-body extended to the substrate through t...
[期刊论文] 作者：王元刚,罗小蓉,葛锐,吴丽娟,陈曦,姚国亮,雷天飞,王琦,范杰,胡夏融,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
A silicon-on-insulator (SOI) high performance lateral double-diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) on a compound buried layer (CBL) with a step buried oxi...
Ultra-low specific on-resistance vertical double-diffused metal-oxide semiconductor with a high-k di
[期刊论文] 作者：王沛,罗小蓉,蒋永恒,王琦,周坤,吴丽娟,王骁玮,蔡金勇,罗尹春,范叶,胡夏融,范远航,魏杰,张波,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
An ultra-low specific on-resistance trench gate vertical double-diffused metal-oxide semiconductor with a high-k dielectric-filled extended trench(HK TG VDMOS)...
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