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[学位论文] 作者：职继康,
来源：华中科技大学 年份：2021
相变存储器（Phase Change Memory,PCM）具有快速的读写能力、高存储密度以及良好的数据保持力,因此,它被认为是最有希望的下一代非易失性存储器之一。然而,其较高的功耗阻碍了它进一步的发展。作为相变存储器的核心,相变材料在降低功耗、改善相变存储器性能等方面......
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