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[学位论文] 作者：聂诚磊,
来源：中国科学院大学 年份：2013
弱光探测器在量子信息科学、生物医学、天文大气测量等领域都有着广泛的应用。目前常见的单光子探测器按照技术可以分为基于倍增效应的单光子探测器、基于超导技术的单光子探...
[期刊论文] 作者：聂诚磊, 杨晓红, 韩勤,,
来源：半导体光电 年份：2013
量子点单光子探测器具有可保持测试信号完整性、理论量子效率高、工作电压低等优点,同时具有室温单光子探测的潜力,最近得到了广泛的研究。文章介绍了基于三种不同形式量子点...
[期刊论文] 作者：张留旗,韩佰祥,聂诚磊,薛炎,Gary Chaw,林信南,
来源：光电子技术 年份：2019
提出了一种新型的GOA(阵列基板栅极驱动)电路。此电路可以有效抑制GOA输出信号的震荡效应,提高有源矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)...
[会议论文] 作者：Bin Li,Qin Han,Xiaohong Yang,Shaoqing Liu,Weihong Yin,Chenglei Nie,李彬,韩勤,杨晓红,刘少卿,尹伟红,聂诚磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法...
[会议论文] 作者：Chenglei Nie,Xiaohong Yang,Shaoqing Liu,Bin Li,Weihong Yin,Qin Han,聂诚磊,杨晓红,刘少卿,李彬,尹伟红,韩勤,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性，本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压，得到了沟道内部电势分布图，分析了器件的整流特......
[会议论文] 作者：Bin Li,Qin Han,Xiaohong Yang,Shaoqing Liu,Weihong Yin,Chenglei Nie,李彬,韩勤,杨晓红,刘少卿,尹伟红,聂诚磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报道了一种可用于长距离光纤通信的平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。对于30微米直径的器件,其暗电流在穿通电压处可低至0...
[会议论文] 作者：Bin Li,李彬,Qin Han,韩勤,Xiaohong Yang,杨晓红,Shaoqing Liu,刘少卿,Weihong Yin,尹伟红,Chenglei Nie,聂诚磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报道了一种可用于长距离光纤通信的平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。对于30微米直径的器件,其暗电流在穿通电压处可低至0.032nA,在90％击穿电压下暗电流仅0.16nA.未生长抗反膜的器件对1.55微米的光的初始响应度(增......
[会议论文] 作者：Chenglei Nie,聂诚磊,Xiaohong Yang,杨晓红,Shaoqing Liu,刘少卿,Bin Li,李彬,Weihong Yin,尹伟红,Qin Han,韩勤,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性，本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压，得到了沟道内部电势分布图，分析了器件的整流特性，从电势的角度解释了器件的工作原理。同时分析了不同器件表面参数对器件电流特性的影响：沟......
[会议论文] 作者：Bin Li,李彬,Qin Han,韩勤,Xiaohong Yang,杨晓红,Shaoqing Liu,刘少卿,Weihong Yin,尹伟红,Chenglei Nie,聂诚磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法抑制边缘击穿,器件制备过程只需要一步外延生长和一步扩散,降低了器件的制备难度。对于30微......
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