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[期刊论文] 作者：石涌泉,,
来源：新西部 年份：2017
该文结合国际教育界提出的主体间性教育理念,在主体间性视域下,剖析了主体间性缺失下高校社会主义核心价值体系教育在理念、方法、载体、主客体等四个方面存在的问题;从以人...
[学位论文] 作者：石涌泉,,
来源：海南大学 年份：2016
随着信息化技术的飞速发展及互联网络浪潮的冲击,作为家庭的第一媒体,电视机也开始朝着网络化、智能化的方向快速发展,正在成为继计算机、手机以及平板之后的又一种信息访问...
[期刊论文] 作者：石涌泉,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
本文简要地综述了多种技术途径制备ＳＯＩ材料的发展现状，并着重讨论了ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ的潜在优点、发展趋势及其在宇航微电子技术发展中的应用前景。...
[期刊论文] 作者：石涌泉,
来源：写真地理 年份：2021
当前,市政工程施工规模也在不断增加,并且市政工程对于城市发展也有着重要的推动作用,所以一定要重视对于市政施工的安全管理以及质量控制,基于此,本文对于当前市政工程当中...
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,
来源：半导体学报 年份：1993
经过大量的实验研究,我们从材料制备、版图设计及工艺过程等方面总结摸索出了一套能够有效抑制SOS器件漏电的措施,这主要包括双固相外延技术、环形栅技术、反应离子刻蚀形成...
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
报道CMOS/SOI集成电路中输入保护网络的优化设计.从网络内部参数、总体设计的理论分析以及失效测试等方面讨论了各种因素对静电失效的影响,并在此基础上成功地研制了抗静电能...
[期刊论文] 作者：石涌泉,张兴,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
本文简要地介绍了３μｍＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列的设计和制作技术。利用３００门门阵列母片成功地实现了容错计算机系统专用总线输出选择逻辑电路ＳＥＬ。其性能达到了用户要求，平均单级门延迟时间为２．６ｎｓ，输出驱动电......
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,
来源：半导体杂志 年份：1991
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[期刊论文] 作者：傅智,石涌泉,
来源：四川党的建设(城市版) 年份：2000
想企业所想、急企业所急、干企业所需、解企业之困。南江县检察院自1992年起走出了一条服务冒企的好路子,赢得了县委、县政府及社会各届对检察机关“功不可没”的好口碑。3...
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,等,
来源：半导体技术 年份：1992
本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应，在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺，已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。...
[会议论文] 作者：武平,石涌泉,黄敞,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：石涌泉,孙纪芸,
来源：微电子学与计算机 年份：1987
利用兰宝石衬底上外延硅膜(SOS)制作互补MOS 集成电路具有许多潜在的优点,除了高集成度、高速、低功耗、工作电压范围宽、抗闩锁和设计灵活外,这种介质隔离的集成电路在抗核...
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：电子学报 年份：1995
本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延，双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用......
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：电子学报 年份：1996
开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路......
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：电子学报 年份：1995
本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方......
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
开发了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件ＬＡＤＥＳ－ＩＶ－Ｚ，该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，从......
[会议论文] 作者：张兴,杜敏,石涌泉,
来源：全国第六届IC CAD学术年会 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：半导体技术 年份：1992
本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。...
[期刊论文] 作者：汪淳,路泉,石涌泉,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
本文详细介绍了高速六位CMOS/SOS A/D 转换器LAD1606的设计、版图、工艺及电路特性;并分析和讨论了其电路中比较器、编码阵列(PLA)以及外围电路;最后给出了研制成功的LAD1606...
[期刊论文] 作者：石涌泉, 郭应时, 马勇, 袁伟,,
来源：中国安全科学学报 年份：2015
分心驾驶容易影响驾驶行为,进而导致交通事故的问题。用理论建模方法,研究分心对驾驶行为及其可靠性的影响。介绍分心驾驶的定义和维度。基于驾驶行为理论,建立融合分心维度...
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