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[期刊论文] 作者：,
来源：微电子学 年份：2003
第 33卷 总第 183～ 188期第 33卷 第 1期混合信号电路的衬底电阻网络模型 …………………田洪宇 ,余志平 ,田立林 ,等 (1)……………………高性能 IC版图综合中的互连线...
[期刊论文] 作者：,
来源：半导体学报 年份：1985
第1期硅耗尽层少子产生率的强电场效应···············,··…李志坚田立林马鑫荣(1)离子注人.Cq激光退火硅中的深能级缺陷······……鲍希茂张新宇柳承...
[期刊论文] 作者：田立林,
来源：信息周刊 年份：2019
近年来,随着世界各个国家对环境保护意识的不断提高,运输船舶所产生的废气污染已成为沿海地区大气的主要污染源,IMO通过了《国际防止船舶造成大气污染公约》,受当前环保压力...
[期刊论文] 作者：田立林,
来源：课程教育研究·新教师教学 年份：2013
【摘 要】 自人类社会的文明史发生、发展以来，知识分子便应运而生，在中国的历史长河中，知识分子总是有着各种各样的形象，起着各种各样的作用，无论是现实中的真实知识分子，还是文学中的典型知识分子，在我们社会的发展过程中都发生着不断的演变，他们的存在和演变和发展都......
[期刊论文] 作者：田立林,
来源：科学与财富 年份：2019
摘 要：船舶制造行业是海洋交通运输行业的重要组成部分。进入新时代，可以说谁掌握了海上交通的主动权，谁就掌握了海洋经济发展的未来，尤其是在国际贸易竞争不断加速的环境背景下，各个国家在海洋交通运输领域都在朝着一体化的方向发展，对船舶制造工业进行质量控制与成......
[期刊论文] 作者：张文良,田立林,
来源：半导体学报 年份：1999
本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应。模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可以保证无穷阶连续不仅适用于数字电路，而且......
[会议论文] 作者：王燕,田立林,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
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[会议论文] 作者：付军,田立林,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文通过分离变量法求解全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ的沟道区所满足的二维泊松方程建立了适用于深亚微米器件的阈电压的解析模型。在此基础上，根据该模型，结合采用数值分析方法的器件模拟软件ＭＥＤＩＣＩ及有......
[期刊论文] 作者：田立林,郝明,
来源：清华大学学报(自然科学版) 年份：1999
开发了一个半导体器件的电热耦合器件模拟程序。它以双重能量传输模型为基础，包括了晶格中的热扩散以及载流子的产生、复合所造成的能量变化，考虑了载流子能流对整个热系统的影......
[会议论文] 作者：董宁,田立林,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
Ｊａｖａ语言作为一种新兴的面向对象语言，正在科学计算领域得到广泛的应用。文章介绍了采用Ｊａｖａ语言，对二维氧化中存在的应力进行了有限元分析与模拟，所得结果与ＳＵＰＲＥＭ－ＩＶ的结果进行了全面的比较。......
[期刊论文] 作者：余志平,田立林,
来源：半导体学报 年份：2006
随着器件沟道长度的不断缩小,多栅结构(包括FinFET)被普遍认为是有效改进Ion/Ioff的手段.量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年.在沟道截面被局...
[期刊论文] 作者：杨晓东,田立林,
来源：半导体学报 年份：1998
本文以电荷泵技术为测量手段，结合数值计算，提出了一种新的测量面态横向分布的方法，与传统方法相比具有理论模型较完善，测量中不引入新的蜕变、易于实现的特点，适用于研究短沟道器......
[期刊论文] 作者：陈立锋,马玉涛,田立林,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧的几率 ,利用修正的艾利函数 (modifi...
[会议论文] 作者：杨晓东,田立林,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[会议论文] 作者：陈文松,田立林,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：鲁耀华,张莉,田立林,
来源：微电子学 年份：2003
提出了一种含缓冲层的沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的瞬态解析模型。该模型不仅考虑到TIGBT的高掺杂缓冲层处于小注入状态,分析了缓冲层对TIGBT关断特性的影响,而且还考虑了...
[期刊论文] 作者：张莉,鲁耀华,田立林,
来源：半导体学报 年份：2003
从沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的物理结构出发，提出了TIGBT的稳态模型和瞬态模型．该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应，而且还考虑到缓冲层对器件性......
[期刊论文] 作者：田立林，郝明，TIANLilin，HAOMing,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：1999
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：赖柯吉,张莉,田立林,
来源：半导体学报 年份：2002
从 VDMOS的物理结构出发建立子电路模型 ,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式 .相对以往文献的结果 ,该模型避免了过多工艺参数的引入 ,同时对子电路进行了有效的简化...
[期刊论文] 作者：张大伟,田立林,余志平,
来源：半导体学报 年份：2005
推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压．该解析解考虑了任意深度情况下沟道中深度方向上电势的不均匀分布，结果与数值模拟吻合．给出了电子......
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